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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

西安誼邦電子科技有限公司


經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:29條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:李想 (項(xiàng)目經(jīng)理)

  • EN-2020A半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開關(guān)器件,其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性,直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-22 在線留言

  • IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測(cè)試設(shè)備

    詳細(xì)摘要: ENX2020IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、M...

    產(chǎn)品型號(hào):ENX-2020所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-22 在線留言

  • 大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適合工廠、研究所用做半導(dǎo)體器件及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試,是一款針對(duì)大功率器件各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能...

    產(chǎn)品型號(hào):EN-30200所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-21 在線留言

  • 西安廠家EN-3020C IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: EN-3020C系統(tǒng)是專為測(cè)試IGBT而設(shè)計(jì)。能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試出IGBT的各種靜態(tài)參數(shù):其測(cè)試范圍如下:1)柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試 VGES、IGES2)柵極-...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-21 在線留言

  • 功率器件IGBT,MOS測(cè)試綜合圖示系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 功率器件IGBT,MOS測(cè)試綜合圖示系統(tǒng)測(cè)試范圍二極管DIODE,晶體管(NPN型/PNP型),J型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET,MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET雙向可控硅...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-21 在線留言

  • 電源、變頻器、逆變器來料篩選測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 電源、變頻器、逆變器來料篩選測(cè)試儀設(shè)備用途測(cè)試分析、器件選型 、篩選檢驗(yàn) 、生產(chǎn)線自動(dòng)批量測(cè)試等

    產(chǎn)品型號(hào):EN-J所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-21 在線留言

  • 院所高校、器件生產(chǎn)廠商功率器件測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 院所高校、器件生產(chǎn)廠商功率器件測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域院所、高校、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機(jī)、白色家電、新能源汽車、軌道機(jī)車檢修等

    產(chǎn)品型號(hào):EN-2005-B所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-21 在線留言

  • 西安EN-2005B功率器件綜合測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 測(cè)試范圍廣(19總大類,27分類)升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可提升電壓電流,和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-20 在線留言

  • IGBT功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù):熱敏電壓測(cè)試:V f主電流測(cè)試:Ic集電極電壓測(cè)試:VCE閾值電壓測(cè)試:VGE(th) 溫度參數(shù)測(cè)試:T1、T2 穩(wěn)態(tài)電阻測(cè)試:...

    產(chǎn)品型號(hào):ENG1220所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-20 在線留言

  • 半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: EN-2020A半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專門設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),適用于電流...

    產(chǎn)品型號(hào):EN-2020A所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-20 在線留言

  • 大功率IGBT靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: EN—3020C測(cè)試系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱系統(tǒng))是西安易恩電氣科技有限公司推出的IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)符合GJB128-86和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 4587-94測(cè)試...

    產(chǎn)品型號(hào):EN-3020C所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-20 在線留言

  • 功率器件綜合測(cè)試系統(tǒng)晶體管圖示儀

    詳細(xì)摘要: 本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線,也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析,IQC來料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門有廣泛的應(yīng)用。

    產(chǎn)品型號(hào):EN-2005C所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-20 在線留言

  • 新型高精度功率器件綜合測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: EN-2005B功率器件綜合測(cè)試系統(tǒng),設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品質(zhì)范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采...

    產(chǎn)品型號(hào):EN-2005B所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-19 在線留言

  • 西安廠家直供易恩柵電荷測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: 西安易恩電氣科技有限公司一直致力于分立器件測(cè)試設(shè)備、元器件檢測(cè)設(shè)備、IGBT測(cè)試儀、功率器件測(cè)試系統(tǒng)的生產(chǎn),以*的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備,具有完善的質(zhì)量保證體系。優(yōu)質(zhì)的...

    產(chǎn)品型號(hào):ENS1040所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-19 在線留言

  • 高精度新型高溫反偏試驗(yàn)臺(tái)

    詳細(xì)摘要: DBC-320測(cè)試臺(tái)是專為IGBT模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)而進(jìn)行設(shè)計(jì),是IGBT出廠檢測(cè)的重要設(shè)備。該試驗(yàn)臺(tái)可對(duì)相應(yīng)的IGBT器件進(jìn)行適配器匹配,同時(shí)對(duì)48只器件進(jìn)...

    產(chǎn)品型號(hào):DBC-320所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-19 在線留言

  • 廠商直供功率循環(huán)熱循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)

    詳細(xì)摘要: IGBT功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備,是IGBT測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):該測(cè)試系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)綜合的測(cè)試系統(tǒng),測(cè)試參數(shù)多,設(shè)備測(cè)試數(shù)據(jù)精度高。該測(cè)試系統(tǒng)是一套...

    產(chǎn)品型號(hào):ENG1220所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-19 在線留言

  • 美國(guó)吉時(shí)利4200替代品易恩MOS測(cè)試儀

    詳細(xì)摘要: 此設(shè)備具有以下測(cè)試單元。注:開關(guān)時(shí)間,二極管反向恢復(fù),柵極電荷需要可在分裝后測(cè)試,靜態(tài)參數(shù)及雪崩測(cè)試需要在加電容前測(cè)試。開關(guān)時(shí)間測(cè)試單元開啟延遲時(shí)間(Td(on...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-19 在線留言

  • 友能測(cè)試儀替代品易恩晶閘管綜合測(cè)試設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 友能測(cè)試儀替代品易恩晶閘管綜合測(cè)試儀DBC-226高精度大功率晶閘管綜合測(cè)試儀系統(tǒng)概述晶閘管綜合參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),是大功率晶閘管測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-18 在線留言

  • 正向壽命試驗(yàn)臺(tái)

    詳細(xì)摘要: 絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱IGBT)作為功率開關(guān)器件,具有載流密度大、飽和壓降低等許多優(yōu)點(diǎn), ...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-18 在線留言

  • 高溫反偏試驗(yàn)臺(tái)

    詳細(xì)摘要: DBC-320測(cè)試臺(tái)是專為IGBT模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)而進(jìn)行設(shè)計(jì),是IGBT出廠檢測(cè)的重要設(shè)備。該試驗(yàn)臺(tái)可對(duì)相應(yīng)的IGBT器件進(jìn)行適配器匹配,同時(shí)對(duì)48只器件進(jìn)...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:西安市更新時(shí)間:2024-05-18 在線留言

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