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西安誼邦電子科技有限公司


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IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備

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參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號ENX-2020

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式：李想查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-05-22 07:04:22瀏覽次數(shù)：195次

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經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：29條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：李想 （項目經(jīng)理）

產(chǎn)品簡介

ENX2020IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

詳細介紹

         IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

     ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據(jù)客戶需求）等多個部分。

  IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備技術(shù)指標

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓

1000V

IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A

MOSFETs

MOS場效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

 

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A（取決于傳感器）

 

 

 

感性負載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

 

 

 

重復(fù)間隙時間

1-60s可調(diào)（步進1s）重復(fù)次數(shù)：1-50次

 


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