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美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

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產品型號

品       牌

廠商性質生產商

所  在  地西安市

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更新時間:2024-05-19 08:13:52瀏覽次數:207次

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經營模式:生產廠家

商鋪產品:29條

所在地區:陜西西安市

聯系人:李想 (項目經理)

產品簡介

此設備具有以下測試單元。注:開關時間,二極管反向恢復,柵極電荷需要可在分裝后測試,靜態參數及雪崩測試需要在加電容前測試。
開關時間測試單元
開啟延遲時間(Td(on)) 上升時間(Tr)
關斷延遲時間(Td(off)) 下降時間(Tf)
開啟損耗Eon 關斷損耗Eoff
二極管反向恢復測試單元
反向恢復時間(Trr) 反向恢復電荷(Qrr)
柵極

詳細介紹

美國吉時利4200替代品易恩MOS測試儀

西安廠家直供大功率MOS動靜態測試系統

規格環境

A.  環境溫度:    25±10℃,

B. 相對濕度:   濕度不大于65%

C.  大氣壓力:    86Kpa~ 106Kpa

D.  工作電壓:三相五線制AC 380V±10%,或者單相三線制AC 220V±10%

E. 電網頻率:    50Hz±1Hz

F.  壓縮空氣:   0.4~0.6Mpa

G.  防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;功能簡介

此設備具有以下測試單元。注:開關時間,二極管反向恢復,柵極電荷需要可在分裝后測試,靜態參數及雪崩測試需要在加電容前測試。

開關時間測試單元

開啟延遲時間(Td(on))     上升時間(Tr)

關斷延遲時間(Td(off))    下降時間(Tf)

開啟損耗Eon              關斷損耗Eoff

二極管反向恢復測試單元

反向恢復時間(Trr)       反向恢復電荷(Qrr)

柵極電荷測試單元

閾值電荷(Qg(th))      柵電荷(Qg)

靜態全參數測試單元

RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

雪崩測試單元

雪崩電流(I),雪崩電壓(V),雪崩能量(E)

測量的MOSFET動態參數

參數名稱

符號

參數名稱

符號

開通延遲時間

td(on)

關斷延遲時間

td(off)

上升時間

tr

下降時間

tf

開通時間

ton

關斷時間

toff

開通損耗

Eon

關斷損耗

Eoff

柵極電荷

Qg

拖尾時間

tz

 

測量的DIODE動態參數

參數名稱

符號

參數名稱

符號

反向恢復時間

trr

反向恢復電荷

Qrr

 

 


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