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正向壽命試驗臺

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產品型號

品       牌

廠商性質生產商

所  在  地西安市

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更新時間：2024-05-18 18:39:12瀏覽次數：142次

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經營模式：生產廠家

商鋪產品：29條

所在地區：陜西西安市

聯系人：李想 （項目經理）

產品簡介

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優點，
但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關狀態等且運行環境復雜，IGBT功耗和結溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內外溫度循環引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎上正積極發展功率模塊壽命預測技術以提高變流器運

詳細介紹

正向壽命試驗臺

系統概述

     絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關器件，具有載流密度大、飽和壓降低等

許多優點，

     但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關狀態等且運行環境復雜，IGBT功耗和結溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內外溫度循環引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎上正積極發展功率模塊壽命預測技術以提高變流器運行可靠性。

技術指標

測試參數 VF

0.01～20V

0.01～10V±3%±0.01V

10～20V±3%±0.1V

測試條件

正向電流：1mA～60A  直流方波

脈寬

50uS-1mS

工位

 20只

測試方法

器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電流后 按規定施加條件對被試器件依次進行測試，測試間 隔時間約100mS


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