710 掃描俄歇納米探針

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公司名稱上海德竹芯源科技有限公司
品牌
型號710
所在地上海
廠商性質其他
更新時間2023/9/13 9:35:00
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上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領域的設備銷售、系統集成、設備國產化的公司。主要為高校、研究所、中試量產線及晶圓FAB廠提供半導體工藝設備、檢測設備、封裝設備、測試設備。目前公司已成為國內少數幾家專業提供半導體工藝、檢測、封裝、測試整體解決方案的企業。公司主要成員為復旦大學、上海微系統所等半導體相關專業博士，擁有一支經驗豐富、技術過硬的團隊。能夠出色地完成售前售中、售后的服務。目前公司已與眾多國際半導體設備企業建立了良好的合作關系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等)，致力于根據用戶的科研方向和量產的器件類別提供相應的全套設備選型和工藝整體解決方案。

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PHI 710 掃描俄歇納米探針是一臺高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器。該設備能分析納米級特征區域，超薄薄膜和多層結構材料表界面的元素態和化學態信息。作為高空間分辨率，高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀，PHI 710 可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。

710 掃描俄歇納米探針產品信息

特點

SEM分辨率 ≤ 3 nm, AES分辨率 ≤ 8 nm

● 在俄歇能譜的采集分析過程中，包括譜圖，深度剖析及元素分布成像，首先需要在 SEM 圖像上定義樣品分析區域，同時要求束斑直徑小且穩定。PHI 710 SEM 圖像的空間分辨率小于 3 nm，AES的空間分辨率小于 8 nm（@ 20 kV, 1 nA），如下圖所示。

圖1 Si基底上的Au的SEM圖像，PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm

圖2 鑄鐵韌性斷裂的界面分析，左邊是SEM圖像，中間是鈣，鎂，鈦的俄歇成像譜圖疊加，右邊則是硫的俄歇成像，這充分證明了PHI 710在納米級的尺度下的化學態的分析能力

同軸筒鏡分析器（CMA）

● PHI 公司電子槍和同軸筒鏡分析器同軸的幾何設計，具有靈敏度高和各個角度均可收集信號的特點，滿足了表面粗糙不平整樣品對俄歇分析全面表征能力的需求。如上圖所示，所有俄歇的數據都是從顆粒的各個方向收集而來，成像沒有陰影。若設備配備的不是同軸分析器，則儀器的靈敏度會降低，且成像有陰影，一些分析區域會由于位置的原因而無法分析。如果想要得到高靈敏度，只能分析正對著分析器的區域。如下圖所示，若需要對顆粒的背面，顆粒與顆粒之間的區域分析，圖像會有陰影。

俄歇能譜儀的化學態成像

圖譜成像

● PHI 710 能從俄歇成像分析的每個像素點中提取出譜圖的相關信息，該功能可實現化學態成像。

高能量分辨率俄歇成分像

● 下圖是半導體芯片測試分析，測試的元素是 Si。通過對 Si 的俄歇影像進行線性最小二乘法擬合（LLS），俄歇譜圖很清楚地反映出了三個 Si 的不同化學態的區域，分別是：單質硅，氮氧化硅和金屬硅，且可以從中分別提取出對應的 Si 的俄歇譜圖，如最下方三張圖所示。

納米級的薄膜分析

● 如下圖SEM圖像中所示，以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷，這是由于退火后，在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區域和正常區域設置了一個分析點，分析條件為高能量分辨率模式下（0.1%），電子束直徑 20 nm，離子槍采用 0.5 kV 設定，如下圖所示，在 MultiPak 軟件中，采取最小二乘擬合法用于區分金屬鎳和硅鎳化合物，同樣區分金屬硅和硅化物。可以看出，硅鎳化合物僅存在于界面處，而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是，在鎳涂層的缺陷處，發現了硅鎳化合物。