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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)

2017年11月15日 18:35$artinfo.Reprint點(diǎn)擊量:908

  MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索,那么該如何量化評(píng)估呢?
 
  1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖
 
  一般來(lái)說(shuō),開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”,小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”,而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計(jì)。
 
圖 1開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖
 
  實(shí)際的測(cè)量波形圖一般如圖 2所示。
 
圖 2開(kāi)關(guān)管實(shí)際功率損耗測(cè)試
 
  1.2MOSFET和PFC MOSFET的測(cè)試區(qū)別
 
  對(duì)于普通MOS管來(lái)說(shuō),不同周期的電壓和電流波形幾乎*相同,因此整體功率損耗只需要任意測(cè)量一個(gè)周期即可。但對(duì)于PFC MOS管來(lái)說(shuō),不同周期的電壓和電流波形都不相同,因此功率損耗的準(zhǔn)確評(píng)估依賴(lài)較長(zhǎng)時(shí)間(一般大于10ms),較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲,此時(shí)需要的存儲(chǔ)深度推薦在10M以上,并且要求所有原始數(shù)據(jù)(不能抽樣)都要參與功率損耗計(jì)算,實(shí)測(cè)截圖如圖 3所示。
 
圖 3 PFC MOSFET功率損耗實(shí)測(cè)截圖
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