智慧城市網(wǎng)>產(chǎn)品庫>儀器儀表>測量計量儀器>電學(xué)測量儀器>>浪涌電流測試儀正弦波 100μm-10ms＞3000A

浪涌電流測試儀正弦波 100μm-10ms＞3000A

參考價	￥ 100001
訂貨量	≥1套

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱陜西博微電通科技有限責(zé)任公司
品牌
型號BW-ITSM
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2025/3/11 16:29:14
訪問次數(shù)6

產(chǎn)品標(biāo)簽:

浪涌測試系統(tǒng)雪崩浪涌測試浪涌電流測試可控硅測試大功率浪涌測試

在線詢價收藏產(chǎn)品點擊查看聯(lián)系電話

索取相關(guān)資料

公司介紹主營產(chǎn)品

　　陜西博微電通科技有限責(zé)任公司是一家致力于高精度半導(dǎo)體測試設(shè)備、電力電子設(shè)備、電池安全管理系統(tǒng)及電力儲能解決方案的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)。

　　公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿(mào)區(qū)，地理位置環(huán)境便利，依托西安眾多高校及研究所，公司擁有一批高素質(zhì)人才隊伍，從軟件開發(fā)、硬件設(shè)計、系統(tǒng)集成、產(chǎn)品升級迭代及售后服務(wù)均由專業(yè)技術(shù)人員完成，多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對半導(dǎo)體測試、電力電子、能源管理系統(tǒng)系列產(chǎn)品，經(jīng)過技術(shù)迭代，產(chǎn)品功能優(yōu)質(zhì)，產(chǎn)品質(zhì)量可靠，市場口碑優(yōu)秀。

　　公司注重產(chǎn)品質(zhì)量，更注重客戶服務(wù)滿意度及產(chǎn)品體驗，每一款產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過嚴(yán)格的檢驗或第三方機(jī)構(gòu)監(jiān)測，并持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品功能、根據(jù)客戶需求定制或迭代升級產(chǎn)品。我們秉承“博厚共贏、服務(wù)入微”理念竭誠為每一位客戶提供全面、高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)，幫助解決客戶實際使用痛點，開發(fā)難點，節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率，助力行業(yè)發(fā)展。

　　半導(dǎo)體測試系統(tǒng)：（Semiconductor test system）

　　針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導(dǎo)體測試產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體企業(yè)測試計量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學(xué)、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈的來料檢驗、器件選型及科研院所、實驗室的數(shù)據(jù)驗證分析和研發(fā)指導(dǎo)等。

　　半導(dǎo)體測試設(shè)備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測試(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))測試精度可達(dá)16位ADC；動態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等；環(huán)境老化測試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 )及熱特性測試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導(dǎo)體器件測試設(shè)備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數(shù)測試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測試SOA，各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機(jī)系統(tǒng)等。

　　BMS系統(tǒng)及電力儲能：（Battery safety management and energy storage system）

　　電池安全管理系統(tǒng)主要是針對電池、蓄電池組、儲能系統(tǒng)安全及應(yīng)用電池全生命周期系統(tǒng)解決方案，主要產(chǎn)品覆蓋儲能電池BMS、后備電池BMS、動力電池BMS和電池監(jiān)控數(shù)據(jù)平臺等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于儲能，云計算，數(shù)據(jù)中心，通信網(wǎng)絡(luò)，軌道交通，以及商業(yè)和工業(yè)設(shè)施關(guān)鍵電源領(lǐng)域，將成為國家綠色能源轉(zhuǎn)型重要系統(tǒng)保障。

　　4、企業(yè)使命：

　　以社會責(zé)任為己任

　　助力中國半導(dǎo)體行業(yè)“博大”&“精微”發(fā)展

　　助力中國能源行業(yè)安全綠色發(fā)展

　　5、企業(yè)愿景：

　　成為中國半導(dǎo)體測試及能源安全管理優(yōu)秀企業(yè)

　　6、企業(yè)價值觀：

　　搏厚共贏、服務(wù)入微

展開顯示更多內(nèi)容

半導(dǎo)體測試設(shè)備，半導(dǎo)體可靠性測試，雪崩浪涌測試，半導(dǎo)體教學(xué)實驗室

產(chǎn)品簡介在線詢價

浪涌電流測試系統(tǒng) BW-ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱是SIC相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備，可用于各類二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二管的浪涌測試。

浪涌電流測試儀正弦波 100μm-10ms＞3000A 產(chǎn)品信息

BW-ITSM浪涌電流測試儀

（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱

浪涌電流測試系統(tǒng) BW-ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱是SIC相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備

測試原理：

模擬浪涌電流產(chǎn)生：通常利用專門的電路或裝置來模擬電力系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的浪涌電流情況。如基于LC振蕩電路原理，通過電容的快速放電和電感的儲能、釋能過程，產(chǎn)生具有特定波形和幅值的浪涌電流。一些系統(tǒng)還會采用晶閘管等功率器件來控制放電過程，精確調(diào)整浪涌電流的參數(shù)。
響應(yīng)檢測與分析：被測設(shè)備在承受浪涌電流時會產(chǎn)生相應(yīng)的電氣響應(yīng)，如電壓波動、電流變化、設(shè)備工作狀態(tài)改變等。測試系統(tǒng)通過電壓傳感器、數(shù)據(jù)采集設(shè)備等記錄這些響應(yīng)，然后利用數(shù)據(jù)分析軟件對采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和分析，判斷被測設(shè)備對浪涌電流的耐受能力、響應(yīng)特性等。

測試意義：

評估設(shè)備可靠性：能檢驗設(shè)備在浪涌電流沖擊下是否會出現(xiàn)故障、損壞等問題，確保其在惡劣電力環(huán)境下也能穩(wěn)定工作，為設(shè)備的質(zhì)量和可靠性提供重要依據(jù)。比如在電力系統(tǒng)中，通過浪涌電流測試可保證變壓器、開關(guān)等設(shè)備在雷擊等浪涌情況下的安全運行。
具有如下特點：

1）該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動測試。

2）該系統(tǒng)采用計算機(jī)記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

3）該套測試設(shè)備主要由以下幾個單元組成：

a、浪涌測試單元

b、阻斷測試單元

C、自動加熱控溫系統(tǒng)

d、計算機(jī)控制系統(tǒng)，參數(shù)設(shè)定，測試數(shù)據(jù)記錄，波形保存均有計算機(jī)完成，一鍵測試，

4）參考的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：JBT-7624-2013《整流二極管測試方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200
浪涌電流測試儀正弦波 100μm-10ms＞3000A

一、技術(shù)條件

1、浪涌測試單元IFSM

正弦半波浪涌電流范圍：短路電流50～3000A，分辨率1A,精度＜2%±1，

低檔范圍：50～200A，計算機(jī)設(shè)定高檔范圍：100～3000A 計算機(jī)設(shè)定

b.浪涌電流底寬：0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波，偏差小于±3%，單選。

c.浪涌電流重復(fù)測試間隔（可設(shè)定）：2S～300S。

e.浪涌電流下的壓降測試：壓降測試范圍0.01-50V，分辨率0.001V,精度＜2%±0.01

f.正向浪涌波形和導(dǎo)通壓降波形可自動顯示并保存在電腦中。同時可保存波形的數(shù)據(jù)。

g、方波浪涌：電流寬度100-5000us,可任意調(diào)整參數(shù)寬度

h、方波電流范圍：寬度：方波100-1000us:對應(yīng)電流MAX50-1000A

方波5-10mS：對應(yīng)電流MAX50-500A

方波0.1-1mS：對應(yīng)電流MAX50-1000A

浪涌電流輸出方式：單次、重復(fù)（電流不變，重復(fù)測試）、遞增（測試電流按設(shè)定步進(jìn)自動增加，到目標(biāo)或失效停止）

加熱自動控溫系統(tǒng)，含兩套，模塊為底板加熱控溫，分立器件為手動小型加熱控溫?？販胤秶?5-180℃，控溫誤差小于2%，設(shè)定溫度手動設(shè)定。
浪涌電流測試儀正弦波 100μm-10ms＞3000A

2、阻斷測試(用于判斷浪涌電流后器件是否失效)

a.正反向電壓測試范圍：50V～500V可調(diào) ，分辨率1V,精度＜2%±1。

設(shè)定漏電流上限保護(hù)，再測試電壓；如測試漏電流大于設(shè)定值停止加高壓。判斷為導(dǎo)通失效。

b.反向電壓輸出方式：DC直流，正反向輸c.漏電流：0.001～10mA，分辨率0.001mA,精度滿量程的±5%

e.測試過程：計算機(jī)設(shè)定，過程一鍵自動測試；自動完成判斷是否浪涌失效，并自動保存測試數(shù)據(jù)

g,適合封裝：各類二極管，MOS、IGBT等，封裝為TO直插或模塊等，兩種接口：1000A以下的直插接口，及模塊接口（機(jī)柜側(cè)面），所有接口均手動接入器件。

3、MOS器件正向?qū)?、反向（體二極管）測試

正向?qū)y試：柵極電壓：5-25V可設(shè)定，判斷阻斷電壓給正向電壓反向?qū)y試：柵極電壓：-10-0V可設(shè)定，判斷阻斷電壓給反向電壓。

參數(shù)設(shè)定主要是設(shè)定圖11所示的幾個關(guān)鍵參數(shù)，包括反向保護(hù)電壓、保護(hù)電流（設(shè)定漏電流上限）、脈沖間隔時間（重復(fù)測試時間）、脈沖次數(shù)（重復(fù)次數(shù)）等。設(shè)定時需注意，有關(guān)參數(shù)不能超過系統(tǒng)設(shè)定范圍，比如脈沖次數(shù)為1-20次，如輸入30，則系統(tǒng)默認(rèn)為20。

電流寬度：選10uS或10mS

電流方式：方波或正弦波

電流換擋：低檔（50-200A）,高擋（100-3000A），方波50-1000A

浪涌電流模式：單次、重復(fù)或遞增

遞增測試：設(shè)定高檔電流，再設(shè)起始電流，遞進(jìn)電流時增加量遞增電流

如：高檔電流設(shè)定100A,起始電流70A，遞增5A,點擊運行，測試最終停止與100A

脈沖次數(shù)即重復(fù)次數(shù)

其他二極管浪涌測試：

可用于各類二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二管的浪涌測試。二管元件在實際使用中，除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外，還應(yīng)能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞，以便適應(yīng)在各種應(yīng)用中的要求。二管浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化）

技術(shù)指標(biāo)：