鈮酸鋰(LiNbO3)光電晶體
鈮酸鋰晶體應用于光通信、信息處理、集成光路、圖象存儲、諧波發生、倍頻器件、參量振蕩、1064nm激光的倍頻，以及四倍頻相位匹配裝置等方面。如：SAW濾波器、Q-開關、電光調光器、參量振蕩器 ,摻有Mg:O的LN晶體，其抗損閾值比純LN晶體了一倍以上
主要性能參數 | |||
生長方法 | 提拉法 | ||
晶體結構 | 三方 | ||
晶格常數 | a=b=5.148Å c=13.863 Å | ||
熔點（℃） | 1250 | ||
居里溫度 | 1140℃ | ||
密度（g/cm3） | 4.64 | ||
硬度 | 5（mohs） | ||
光譜透過波長 | 0.4-2.9um | ||
射率 | no=2.286 ne=2.203 （632.8nm） | ||
非線性系數 | d22 = 2.1 d31 = - 4.5 d33 = -0.27 （pmv-1） | ||
電光系數 | γ13=8.6，γ22=3.4，γ33=30.8，γ51=28.0，（pmv-1） | ||
光學損壞閾 | 250 MW/cm2 @ 1064 nm, t ~ 10nsec. | ||
光譜透過范圍 透過率 | 370～5000nm >68% （632.8nm） | ||
熱膨脹系數 | a11=15.4×10-6/k，a33=7.5×10-6/k | ||
吸收損耗 | @ 1064 nm < 0.1 %/cm | ||
產品規格 | |||
尺寸 | 等于或小于Ø4″ | 表面質量 | 10/5 |
尺寸公差 | Z軸： ±0.3mm | 平 面 度 | v8 （632.8nm） |
倒 角 | 小于0.5mm，45 º±5 º | 鍍 膜 | R<0.2%（1064nm） |
晶向精度 | Z軸： 5′ | 波前畸變 | <N4（633nm） |
平 行 度 | <10′ | 消 光 比 | >400:1(633nm)φ6mm光束 |
供應產品目錄：
| TlGaS2 硫化鎵晶體 | TlGaS2 crystals |
| GeS 硫化鍺晶體 | (Germanium Sulphide) |
| p-type WS2 crystals P型二硫化鎢晶體 | p-type WS2 crystals |
| GaS 硫化鎵晶體 | (Gallium Sulfide) |
| HfS2 二硫化鉿晶體 | (Hafnium Disulfide) |
| WS2 二硫化鎢晶體 | (Tungsten Disulfide) |
| ReS2 二硫化錸晶體 | (Rhenium Disulfide) |
| TiS2 二硫化鈦晶體 | (Titanium Disulfide) |
| Molybdenum Disulfide (MoS2) 小尺寸二硫化鉬晶體 10x10mm | Molybdenum Disulfide (MoS2) |
| n-type WS2 crystals N型二硫化鎢晶體 | n-type WS2 crystals |
| NiPS3 crystals 三硫化磷鎳晶體 | NiPS3 crystals |
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| TiS3 三硫化鈦晶體 | TiS3 crystals |
| NbS2 二硫化鈮晶體 (Niobium Disulfide) | (Niobium Disulfide) |
| p-type MoS2 crystals P型二硫化鉬晶體 | p-type MoS2 crystals |
| ZrS2 二硫化鋯晶體 (Zirconium Disulfide) | (Zirconium Disulfide) |
| n-type MoS2 crystals N型二硫化鉬晶體 | n-type MoS2 crystals |
| Rare: Naturally Occurring Tungsten Disulfide (WS2) 晶體：二硫化鎢晶體 | |
| MoS2 大尺寸二硫化鉬晶體 | (Molybdenum Disulfide) - Medium 15x10mm |
| MoS2 大尺寸二硫化鉬晶體 | (Molybdenum Disulfide) - Large 15x20mm |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
鈮酸鋰(LiNbO3)光電晶體
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