氮化鋁陶瓷基片晶體
氮化鋁陶瓷基片(AlN)
AlN陶瓷基片是陶瓷基片，具有很高的熱導率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導率大于140W/m.k）、較低的介電常數（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數（4.4×10－4/℃）等特點，化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，電性能好、熱膨脹系數與Si片接近,強度高，，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，性，是取代BeO陶瓷的材料，是的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
主要應用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體致冷等產品中做基片材料和封裝材料，應用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業。
產品特點
高導熱性
熱膨脹系數跟Si接近
的性能
較低介電常數和介質損耗
AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標 | |
性能內容 | 性能指標 |
體積密度 (g/cm3) | 3.335 |
抗熱震性 | 無裂紋、炸裂 |
熱導率 (30℃, W/m.k) | ≥170 |
膨脹系數 (/℃, 5℃/min, 20-300℃) | 2.805×10-6 |
抗強度 (MPa) | 382.7 |
體積電阻率(Ω.cm) | 1.4×1014 |
介電常數(1MHz) | 8.56 |
化學穩定性 (mg/cm2) | 0.97 |
擊穿強度 (KV/mm) | 18.45 |
表面粗糙度(μm) | 0.3~0.5 |
翹曲度(length‰) | ≤2‰ |
外觀/顏色 | 致密、細晶/ 暗灰色 |
純度:99%
顏色:灰白色
尺寸:100x100x1.0mm以內或者根據客戶的要求切割
毛坯,單雙拋
表面粗糙度: < 10nm(拋光)
供應產品目錄：
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| 硒化鋯 ZrSe3 | (Zirconium Triselenide) |
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| 二硒化鉑晶體（99.995%） | PtSe2 (Platinum Selenide) |
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溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
氮化鋁陶瓷基片晶體
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