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PMNT/PIMNT光電晶體

PMNT和PIMNT是下一代光電材料壓電性質：d33>2000PC/N ，k33>92%。
　應用領域：壓電材料是聲換能器的換能元件，被地應用到工業、農業、交通運輸、生活、及等諸多領域。
特點：采用性能的弛豫鐵電單晶制備聲換能器，可以大大換能器的靈敏度和帶寬，有利于聲成像的質量。
性能指標：研究的產品的相變溫度及矯頑場均，擴展了弛豫鐵電晶體的溫度應用范圍，允許器件在強場中使用；機電耦合系數k330.94；場致應變S>1.7%；壓電系數d33大約比PZT高4～5倍，介電損耗則低1～3。
所處階段：已經具有了生長大尺寸、、弛豫鐵電晶體PIMNT的完整工藝，能夠根據應用需求，大規模提供不同尺寸（2英寸、3英寸、4英寸）單晶片。

詳細參數

	PMNT	PIMNT
生長方法	Bridgman method	Bridgman method
密度（g/cm3）	8.1	8.1
結構 ,晶胞常數	四方(假立方) ,a=4.024A	四方(假立方) a=4.024A
居里溫度	135-150	160-220
壓電系數（Pc/N） TypeA-d₃₃ TypeB-d₃₃ TypeC-d₃₃	1200-1500 1500-2000 2000-2500	1200-1500 1500-2000 2000-2500
介電常數	4000-5500	4000-5500
大尺寸	4英寸	4英寸

供應產品目錄：

SnS2 二硫化錫晶體	(Tin Disulfide)
TaS2 (2H-phase) 2H-二硫化鉭晶體	TaS2 (2H-phase)
MoS2 二硫化鉬晶體（合成）	MoS2 crystals
PbSnS2 硫化錫鉛	PbSnS2 crystals
ZrS3 三硫化鋯晶體	ZrS3 crystals
Sb2S3 硫化銻晶體	(Antimony sulfide)
FePS3 硫化磷鐵晶體	FePS3 crystals
SnS crystals 硫化錫晶體	SnS crystals
TaS2 (1T-phase) 1T-二硫化鉭晶體	TaS2 (1T-phase)
MnPS3 硫化磷錳晶體	MnPS3 crystals
Sb2OS2 硫化氧銻晶體	Sb2OS2 crystals
TlInS2 硫化銦晶體	TlInS2 crystals
TlGaS2 硫化鎵晶體	TlGaS2 crystals
GeS 硫化鍺晶體	(Germanium Sulphide)
p-type WS2 crystals P型二硫化鎢晶體	p-type WS2 crystals
GaS 硫化鎵晶體	(Gallium Sulfide)
HfS2 二硫化鉿晶體	(Hafnium Disulfide)
WS2 二硫化鎢晶體	(Tungsten Disulfide)
ReS2 二硫化錸晶體	(Rhenium Disulfide)
TiS2 二硫化鈦晶體	(Titanium Disulfide)
Molybdenum Disulfide (MoS2) 小尺寸二硫化鉬晶體 10x10mm	Molybdenum Disulfide (MoS2)
n-type WS2 crystals N型二硫化鎢晶體	n-type WS2 crystals
NiPS3 crystals 三硫化磷鎳晶體	NiPS3 crystals