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碳化硅（SiC）
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氧化鋅（ZnO）
SOI 材料半導(dǎo)體晶體
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SOI 材料半導(dǎo)體晶體
溴化鉀（KBr）薄膜基片晶體
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溴化鉀（KBr）
（KCl）薄膜基片晶體
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KCl
氯化鈉（NaCl）薄膜基片晶體
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氯化鈉（NaCl）
硅（Si）薄膜基片晶體
硅（Si）薄膜基片晶體Si 用途：用作半導(dǎo)體材料，大功率晶體管，整流器，太陽能電池等。
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鍺（Ge）薄膜基片晶體
鍺（Ge）薄膜基片晶體用途：制作半導(dǎo)體器件，紅外光學(xué)器件，及太陽能電池襯底等材料。
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InP薄膜基片晶體
InP薄膜基片晶體InP單晶材料作為重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測器等的關(guān)鍵材料，這些器件實...
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InP薄膜基片晶體
GaSb薄膜基片晶體
GaSb薄膜基片晶體GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器，GaSb也被預(yù)見具有晶格遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具...
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砷化鎵（GaAs）薄膜基片晶體
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砷化鎵
InAs單晶基片材料
InAs單晶基片材料InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料,制作波長 2～14μm的紅外發(fā)光器件，用 InAs...
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鎂鋁尖晶石（MgAl6O10）薄膜基片晶體
鎂鋁尖晶石（MgAl6O10）薄膜基片晶體MgAl6O10單晶是近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長用襯底材料。MgAl6O10單晶屬于立方晶系，空間群為Fd-...
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鎂鋁尖晶石
氧化鋅（ZnO）薄膜基片晶體
氧化鋅（ZnO）薄膜基片晶體氧化鋅（ZnO）是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發(fā)光材料．同...
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氧化鋅（ZnO）
SiC單晶（6H-SiC,4H-SiC ）薄膜基片晶體
SiC單晶（6H-SiC,4H-SiC ）薄膜基片晶體SiC單晶具有許多的性質(zhì)，熱導(dǎo)率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強等，適合于制備高頻率、高功率、以及...
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SiC單晶
鋁酸鋰晶體（LiAlO2）薄膜基片晶體
鋁酸鋰晶體（LiAlO2）薄膜基片晶體鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率小（鋁酸鋰為1.4%）而成為氮化鎵薄膜的基片。
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鋁酸鋰晶體
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鋁酸鎂鈧（ScMgAlO4）薄膜基片晶體ScAlMgO4晶體是近發(fā)展起來的一種GaN和ZnO異質(zhì)外延用的襯底材料，是目前與GaN和ZnO晶格失配小的襯底材料。S...
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藍寶石（Al2O3）薄膜基片晶體藍寶石（Sapphire,又稱白寶石，分子式為Al2O3）單晶是一種的多功能材料。它，導(dǎo)熱好，硬度高，透紅外，化學(xué)。用于工業(yè)、國...
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藍寶石（Al2O3）
氮化鎵（GaN）薄膜基片晶體
氮化鎵（GaN）薄膜基片晶體GaN具有寬的直接帶隙，強的原子鍵，高的熱導(dǎo)率等性質(zhì)和強的抗輻照能力，不是短波長光電子材料，也是高溫半導(dǎo)體器件的換代材料，GaN體系...
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氮化鎵（GaN）
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金紅石二氧化鈦（TiO2）單晶基片材料金紅石雙射大，射率大，是一種用于光譜棱鏡和偏振器件（如光器和分束器）的很好材料，與YVO4相比，TiO2晶體物理化學(xué)穩(wěn)定性...
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金紅石二氧化鈦

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