碳化硅（SiC）材料半導體晶體
主要應用領域
1.高頻大功率電力電子器件l Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT
2.光電子器件：主要應用于GaN/SiC 藍光LED的襯底材料（GaN/SiC）LED
主要性能參數
生長方法
MOCVD
晶體結構
六方
晶格常數
a=3.07 Å c=15.117 Å
排列次序
ABCACB
方向
生長軸或 偏<0001> 3.5 º
帶隙
3.02 eV (間接)
硬度
9.2（mohs）
密度
3.21g/cm3
射率
no=2.55 ne=2.59
熱傳導@300K
3 - 5 x 106W/ m
介電常數
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x10mm，15x15mm， 20x20mm，Dia50.8mm，Dia76.2mm，Dia102.4mm
厚度
厚度：0.35mm
拋光
單面或雙面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°（要求可達1°以內）
斜切晶片
可按某些需求，加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:
≤5Å（5µm×5µm）
供應產品目錄：
| TaNiS5晶體 | >50平方毫米 |
| PbSnSe2 晶體 | >50平方毫米 |
| PbSnS2 晶體 | >10平方毫米 |
| CuInP2S6晶體 | >25平方毫米 |
| CuIn7Se11 晶體 | >50平方毫米 |
| CuCrP2S6 晶體 | >10平方毫米 |
| Cr2Si2Te6 晶體 | >25平方毫米 |
| Cr2Ge2Te6 晶體 | >50平方毫米 |
| Bi2O2Se晶體 | >25平方毫米 |
| NiPS3 晶體 | >50平方毫米 |
| MnPSe3 晶體 | >10平方毫米 |
| MnPS3 晶體 | >10平方毫米 |
| FePSe3 晶體 | >50平方毫米 |
| FePS3 晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| CrI3 碘化鉻晶體 | >25平方毫米 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
碳化硅（SiC）材料半導體晶體
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