SOI 材料半導體晶體
SOI是將一薄層硅置于襯底上。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流，開關速度，降低功耗，實現、低功耗運行。
SOI
SOI是將一薄層硅置于襯底上。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流，開關速度，降低功耗，實現、低功耗運行。
產品規格說明
外形尺寸 | 4英寸；6英寸；8英寸 |
工藝 | Smart cut; Bonding; SIMOX |
類型 | N/P |
電阻率 | 可選 |
頂層單晶厚度 | 0.22～50μm |
埋氧層 | 0.4～4μm |
基底層厚度 | 100～500μm |
TTV | <3μm |
Particle | <10@0.3μm |
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soi硅片一些常用的制備方法
1. SIMOX
SIMOX是注氧的簡稱。上海大恒采用SIMOX(注氧)在普通圓片的層間注入氧離子以形成層。此方法有兩個關鍵步驟：離子注入和退火。
在注入過程中，氧離子被注入圓片里，與硅發生反應形成二氧化硅沉淀物。然而注入對圓片造成相當大的損壞，而二氧化硅沉淀物的均勻性也不很好。隨后進行的高溫退火能幫助修復圓片損壞層并使二氧化硅沉淀物的均勻性保持一致。這時圓片的質量得以恢復而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有的性。
2. Bonding
通過在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之間使用鍵合，兩個圓片能夠緊密鍵合在一起，并且在中間形成二氧化硅層充當層。鍵合圓片在此圓片的一側削薄到所要求的厚度后得以制成。
這個過程分三部來完成。部是在室溫的環境下使一熱氧化圓片在另一非氧化圓片上鍵合；部是經過退火兩個圓片的鍵合力度；部通過研磨、拋光及腐蝕來減薄其中一個圓片到所要求的厚度。
3. Simbond
在傳統的鍵合和離子注入的基礎上，大恒及其合作伙伴發展了制備SOI材料的又一種方法：Simbond。 即在硅材料上注入離子，產生了一個分布均勻的離子注入層。此層用來充當化學腐蝕阻擋層，可對圓片在終拋光前器件層的厚度及其均勻性有很好的控制。采用大恒科技的Simbond制備的SOI硅片具有的SOI薄膜均勻性，同時也能得到厚的埋層。
供應產品目錄：
| MoSe2 二硒化鉬晶體 | >10平方毫米 |
| 摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米 | >50平方毫米 |
| In2Se3晶體 | >10平方毫米 |
| In2P3Se9 晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe5晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe2 碲化鉿晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| HfSe2 硒化鉿晶體 | >50平方毫米 |
| HfS2 硫化鉿晶體 | >25平方毫米 |
| GeSe 硒化鍺晶體 | >25平方毫米 |
| GaTe晶體 | >10平方毫米 |
| GaSe 硒化鎵晶體 | >25平方毫米 |
| Fe3GeTe2晶體 | >50平方毫米 |
| CuS 晶體 | >25平方毫米 |
| CdI2晶體>10平方毫米 | >25平方毫米 |
| BiTe晶體>10平方毫米 | >10平方毫米 |
| BiSe 晶體 | >25平方毫米 |
| 硫化鉍 Bi2S3 晶體 | >25平方毫米 |
| Bi2O2Te 晶體 | >50平方毫米 |
| AgCrSe2晶體 | >10平方毫米 |
| hBN 六方氮化硼晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
SOI 材料半導體晶體
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