的瞬態光電導技術
QSSPC技術對于監測多晶硅硅片，摻雜劑的擴散，和低壽命樣本是理想的技術。這種方法補充了瞬態光電導技術的運用。瞬態光電導技術在這臺設備上也是標準的。
QSSPC壽命測量
QSSPC壽命測量也產生隱含的開路電壓（與lllumination)曲線，這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個階段進行比較。
優秀的軟件數據處理系統
Sinton設備的分析能為每個晶片產生校準載流子注入水平，所以你可以以一個物理上的方式解讀壽命數據。每次測量都會顯示和記錄特定的參數。
WCT系統功能
單擊即可鎖定晶硅片的關鍵參數，包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發射極飽和電流密度和暗電壓
?制造過程的逐步監測和優化
?監測初始材料質量
?晶片加工過程中檢測重金屬雜質
?評估表面鈍化和發射極摻雜擴散
?使用隱含V測量評估過程引起的分流
| 項目 | 內容 |
|---|---|
| 測量參數 | 少子壽命、電阻率、發射極飽和電流密度、陷阱濃度、標準太陽下Voc |
| 壽命測量范圍 | 100nm-10ms |
| 測量（分析）模式 | QSSPC，瞬態和歸一化壽命分析 |
| 電阻率測量范圍 | 3-600（未摻雜）Ohms/sq |
| 可得到的偏壓范圍 | 0-50suns |
| 可得到的光譜 | 白光和紅外光 |
| 感應范圍 | 直徑40mm |
| 樣品尺寸，標準配置 | 標準直徑：40-230mm |
| 硅片厚度范圍 | 10-2000um |
