擴散后制程控制
Suns-Voc階段對于在鋁燒，再次前網燃燒之后測量晶片是理想的。這使得這些步驟的優(yōu)化和監(jiān)測保持電壓，獲得良好的歐姆接觸，避免分流。
Suns-Voc 的強大應用
通過直接探測p和n區(qū)，或者探測金屬化層（如果存在），就能測量光－VOC曲線。此曲線可以顯示為我們的太陽VOC圖或以標準的光伏曲線的形式，光伏曲線可以用來表示分流的特征。整個曲線在開路狀態(tài)下測量，不受串聯(lián)電阻的影響。
Suns-Voc系統(tǒng)特性
非常適用于漿料燒結優(yōu)化和過程控制。開路的方法指出了太陽能電池PN結形成后的上限值。
?硅片臺溫度控制在25℃
?細點電壓探頭
?磁探針兼容性、氙燈與中性密度過濾器
?可微調強度范圍的高度可調后柱
?顯示標準的I-V曲線格式和Suns-VOC曲線
?測量不受串聯(lián)電阻的影響的理想晶片特性
| 項目 | 內容 |
|---|---|
| 每次測試報告的參數(shù) | 開路下的暗IV曲線：材料對效率的限制 擬合效率 擬合填充因子 雙二極管分析 漏電分析 |
| 典型的經過校準的光照范圍 | 0.006-6suns |
| 硅片尺寸，標準配置 | 上限230mm直徑/邊沿 |
