結構類型
自上世紀九十年代以來，LED芯片及材料制作技術的研發取得多項突破，透明襯底梯形結構、紋理表面結構、芯片倒裝結構，商品化的超高亮度(1cd以上)紅、橙、黃、綠、藍的LED產品相繼問市，2000年開始在低、中光通量的特殊照明中獲得應用。LED的上、中游產業受到的重視，進一步推動下游的封裝技術及產業發展，采用不同封裝結構形式與尺寸，不同發光顏色的管芯及其雙色、或三色組合方式，可生產出多種系列，品種、規格的產品。
LED產品封裝結構的類型如表2所示，也有根據發光顏色、芯片材料、發光亮度、尺寸大小等情況特征來分類的。單個管芯一般構成點光源，多個管芯組裝一般可構成面光源和線光源，作信息、狀態指示及顯示用，發光顯示器也是用多個管芯，通過管芯的適當連接(包括串聯和并聯)與合適的光學結構組合而成的，構成發光顯示器的發光段和發光點。表面貼裝LED可逐漸替代引腳式LED，應用設計更靈活，已在LED顯示市場中占有一定的份額，有加速發展趨勢。固體照明光源有部分產品上市，成為今后LED的中、長期發展方向。
目前，LED光電產業還是一個新興產業，涉及到芯片制造技術、封裝技術、散熱技術、二次配光技術、智能控制技術等多個技術領域。它具有耗電量少、壽命長、無污染、色彩豐富、耐震動、可控性強等特點。
隨著科學技術的發展，LED的亮度有了較大的提高，LED芯片的價格也在逐漸降低。由于PC-LED（色轉換型發光二級管）的發光效率逐年增加，目前Cree報道其實驗室數據已超過231lm/w。LED芯片襯底的價格在LED芯片的占有很大的比重，現階段主要是藍寶石襯底，其價格相對較高。
普瑞光電公司于2011年3月宣布，他們已經成功實現了的基于硅襯底的LED制造技術研發成果。該技術主要使用成本較低的硅來取代目前使用的更昂貴的制造材料。該公司相關負責人表示，135lm/W的氮化鎵硅襯底GaN-on-Silicon生產技術代表了行業界*個商業級硅襯底LED技術的突破。
國外LED產業技術的發展狀況
作為歐洲傳統照明*的飛利浦和歐司朗于2000年前投入巨資開始了LED照明基礎技術的研究，其中歐司朗在白光LED用熒光材料方面一直具有優勢。而飛利浦（Philips）則攜其資本的強大優勢，在LED應用領域首先收購美國Lumileds公司及其他具有技術優勢的方案公司，取得其多項核心技術。
美國以Cree為代表在LED方面有多項技術，其中代表的是SiC襯底技術，SiC襯底與GaN材料的晶格適配度只有3.5%，而現階段其他廠商用的藍寶石襯底與GaN材料的晶格適配度高達17%。不僅如此，SiC襯底具有良好的導熱性和導電性，故不采用Al2O3-GaN-LED的倒裝焊技術就可以解決散熱問題，而是采用上下電極的結構。但是SiC襯底的缺點就是價格比較昂貴，且難以制備。
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