QS86型高精密高壓電容電橋（介損及介電常數(shù)測量裝置）

橋體的主要技術(shù)參數(shù)：

l         電橋電容比Cx/Cs（當(dāng)額定比率為1：1時(shí)）為0到1.111110，步級(jí)0.000001，倍率（K）變化范圍為1000、500、200、100、50、20、10、5、2、1共十檔，電容的測量范圍取決于標(biāo)準(zhǔn)電容器Cs的大小電容值，即Cx=Cs·K·（Cx/Cs）

l         電容比率值的測量準(zhǔn)確度：電容比率讀數(shù)*只盤為滿度時(shí)應(yīng)不大于

當(dāng)  tgδ< 3×10^-3  為±0.00005

tgδ≥3×10^-3      為±0.00005±0.005×tgδx

l         電橋tgδ范圍為-0.999999到+0.999999，步級(jí)為0.000001。

l         tgδx測量準(zhǔn)確度不大于±0.5% tgδx±5×10^-5

l         被測電容量顯示：Cx=（0.1~1111.1110）Cn

顯示為被測電容量的前6位有效數(shù)字。

l         被測電容介損顯示：tgδ= -9.99×10^-1到9.99×10^-1  顯示為被測電容介損的前3位有效數(shù)字并結(jié)合科學(xué)記數(shù)法。

l         電容量及介損顯示精度：電容量：±0.5%×tgδx±0.00005。介損：±0.5% tgδx±5×10^-5

此裝置中含：高精密高壓電容電橋、標(biāo)準(zhǔn)電容器、高壓電源、RY2固體電極、RY2測溫控溫儀及裝置控制臺(tái) SB36體積電阻率及表面電阻測試儀