鈦酸鋇（BaTiO3）光電晶體
鈦酸鋇（BaTiO3）單晶具有的光變性能，具有高的自泵浦相位共軛反射率和二波混頻（光放大）效率，在光信息存儲方面有的潛在應用前景；同時它也是重要的襯底基片材料。
主要性能參數
鈦酸鋇（BaTiO3）單晶具有的壓電性能，具有高的自泵浦相位共軛反射率和二波混頻（光放大）效率，在光信息存儲方面有的潛在應用前景；同時它也是重要的襯底基片材料。
主要性能參數 | ||||||
晶體結構 | 四方Tetragona(4m): 13°C < T <132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C) | |||||
密度 | 6.02（g/cm3） | |||||
熔點 | 1612℃ | |||||
生長方法 | TSSG (Top Seeded Solution Growth) 頂部籽晶法 | |||||
介電常數
| ea=3700 ec=135(自由狀態) | |||||
ea=2400 ec=60 (加持狀態) | ||||||
射率 |
| 515nm | 633nm | 800nm | ||
no | 2.4912 | 2.4160 | 2.3681 | |||
no | 2.4247 | 2.3630 | 2.3235 | |||
透過波長范圍 | 0.43-6.30mm | |||||
光電系數 | r1T3=8±2pm/V rT33=105±10pm/V rT42=1300±100pm/V | |||||
自泵浦相位共軛反射率 （0度切） | 50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO3) | |||||
40 - 60 % (PureBaTiO3) for l = 515nm | ||||||
50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO3) | ||||||
40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO3) | ||||||
二波混頻耦合系數 | 10-40 cm-1 | |||||
吸收損失 | l: 515nm | 633nm | 800nm | |||
a: 0.285cm-1 | 0.108cm-1 | 0.033cm-1 | ||||
晶向 | <100>、<001>、<110>、<111>±0.5º | |||||
尺寸（mm） | 10×10×1/0.5mm、10×5×1/0.5mm、5×5×1/0.5mm 可按照客戶需求，定制方向和尺寸的襯底 | |||||
拋光 | 單面或雙面 | |||||
表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=10 A | |||||
供應產品目錄：
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| 二硫化鉭晶體(2H/99.995%) | TaS2(Tantalum Sulfide) -2H |
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| 二硫化錸晶體（99.995%） | ReS2 (Rhenium Disulfide) |
| 二硫化鉛錫晶體（99.995%） | PbSnS2(Lead Tin Disulfide) |
| 二硫化鈮晶體（99.995%） | 3R-NbS2(Niobium Disulfide) |
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yyp2021.6.24
鈦酸鋇（BaTiO3）光電晶體
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