GSGG系列晶體基片
GGG(12.373 Å)與YIG(12.376 Å)的晶格常數(shù)接近，是被采用的YIG磁光薄膜的襯底材料，但為了磁光薄膜的磁光優(yōu)值，有時需要選擇晶格常數(shù)較大的襯底單晶，GSGG是GGG晶體中八面體的 2個Ga被離子半徑較大的Sc取代，從而具有較大的晶格常數(shù)。上世紀80年代，由于Sc原料昂貴，因此采用CaMgZrGGG(12.480 Å)取代GSGG，近年來，提純的進步，Sc原料價格大幅下降，具有大晶格常數(shù)的GSGG(12.554 Å)單晶襯底將越來越獲得的應(yīng)用。
供應(yīng)產(chǎn)品目錄：
| MoSe2 二硒化鉬晶體 | >10平方毫米 |
| 摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體 | >25平方毫米 |
| MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米 | >50平方毫米 |
| In2Se3晶體 | >10平方毫米 |
| In2P3Se9 晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe5晶體 | >25平方毫米 |
| HfTe2 碲化鉿晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| HfSe2 硒化鉿晶體 | >50平方毫米 |
| HfS2 硫化鉿晶體 | >25平方毫米 |
| GeSe 硒化鍺晶體 | >25平方毫米 |
| GaTe晶體 | >10平方毫米 |
| GaSe 硒化鎵晶體 | >25平方毫米 |
| Fe3GeTe2晶體 | >50平方毫米 |
| CuS 晶體 | >25平方毫米 |
| CdI2晶體>10平方毫米 | >25平方毫米 |
| BiTe晶體>10平方毫米 | >10平方毫米 |
| BiSe 晶體 | >25平方毫米 |
| 硫化鉍 Bi2S3 晶體 | >25平方毫米 |
| Bi2O2Te 晶體 | >50平方毫米 |
| AgCrSe2晶體 | >10平方毫米 |
| hBN 六方氮化硼晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應(yīng)產(chǎn)品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
GSGG系列晶體基片
智慧城市網(wǎng)