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GB8050化工廠LED防爆照明燈

參   考   價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào):GB8050

品       牌:

廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

所  在  地:荊州市

更新時(shí)間:2019-08-09 13:53:20瀏覽次數(shù):285

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GB8050化工廠LED防爆照明燈技術(shù)參數(shù):

額定電壓:AC220V 50HZ

適配光源:LED

額定功率:20/30/40W

防護(hù)等級(jí):IP66

防腐等級(jí):WF2

絕緣等級(jí):I

進(jìn)線口螺紋:G3/4

GB8050化工廠LED防爆照明燈技術(shù)參數(shù):

額定電壓:AC220V 50HZ

適配光源:LED

額定功率:20/30/40W

防護(hù)等級(jí):IP66

防腐等級(jí):WF2

絕緣等級(jí):I

進(jìn)線口螺紋:G3/4

引入線纜:8mm-12mm

重量:2.5KG

防爆標(biāo)志:Exd IIB T6Gb/DIPA20TA.T6

安裝方式:吸頂式,吊桿式,護(hù)欄式,法蘭式,壁裝式

GB8050化工廠LED防爆照明燈配用光源:

訂貨編號(hào)       光源 額定功率(w) 光通量(lm) 平均使用壽命(h)

RLB95-L20W     LED 20           2100            10000

RLB95-L30W 30           3150            10000

RLB95-L40W 40           4000            10000

使用場(chǎng)合:

適用于爆炸性氣體環(huán)境的1區(qū),2區(qū)場(chǎng)所;

適用于可燃性粉塵環(huán)境20區(qū) ,21區(qū),22區(qū)場(chǎng)所;

適用于IIA,IIB,IIC類(lèi)爆炸性氣體環(huán)境;

適用于T1-T6組溫度組別;

適用于油田,石化,鉆井,化工企業(yè)等易燃易爆的危險(xiǎn)場(chǎng)所;

適用于各種平臺(tái),車(chē)間,油罐區(qū),石化裝置區(qū),中轉(zhuǎn)站,控制室,水泵房等工作場(chǎng)所作為固定泛光照明燈具使用。

性能特點(diǎn):

90-305交流電和12-24V直流兩種供電方式可選,

采用LED集成模組做光源,能耗低,光效高,在相同倆都下比高壓鈉燈,金鹵燈,汞燈節(jié)能70%以上。

LED光源為低壓直流工作,不需要整流器,直流驅(qū)動(dòng)電源于LED光遠(yuǎn)一體化于燈具中。

的散熱設(shè)計(jì),散熱效果優(yōu)良,確保光源壽命長(zhǎng)達(dá)5萬(wàn)小時(shí)以上,真正的做到免維護(hù)LED照明產(chǎn)品。

外殼采用鋁合金整體壓鑄成型,表面做防高壓靜電,防腐蝕噴涂。

隔爆型防爆等級(jí),具有優(yōu)良的防水,防塵,防腐能力。

*的透鏡配光設(shè)計(jì),有圓形配光和長(zhǎng)方形配光兩種類(lèi)型可以選擇,照射范圍寬,照度均勻指高。

光源腔,電源腔,接線腔三腔獨(dú)立結(jié)構(gòu),確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性,接線腔人性化設(shè)計(jì),方便用戶(hù)接線

*的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì),橫流精度高,寬電壓范圍輸入,高功效因素,抗干擾電網(wǎng)設(shè)計(jì)。

外形美觀,又吸頂式,吊桿式,護(hù)欄式,法蘭式,壁裝式多種安裝方式選擇。

 近幾年,諸如顯示屏、景觀照明、交通指示燈、汽車(chē)應(yīng)用、背光源等LED應(yīng)用市場(chǎng)迅速興起。這些新興應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)于LED發(fā)光效率要求的不斷提升催生了對(duì)中、產(chǎn)品的需求。隨著市場(chǎng)需求的增多,中國(guó)LED芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品升級(jí)步伐逐漸加快,中國(guó)LED芯片產(chǎn)品將整體走向。另一方面,中國(guó)LED封裝產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,也為L(zhǎng)ED芯片提供了廣闊的市場(chǎng)需求。不斷擴(kuò)展的市場(chǎng)需求為中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好的外部環(huán)境。  
除了良好的外部環(huán)境外,國(guó)家對(duì)LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也給予了大力支持。2006年,根據(jù)我國(guó)自身半導(dǎo)體照明的發(fā)展現(xiàn)狀,國(guó)家制定了符合自身發(fā)展的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃和2006年技術(shù)發(fā)展路線圖。在2006年技術(shù)發(fā)展路線圖中,對(duì)于LED芯片的投資將占包括材料、襯底、外延、封裝、應(yīng)用以及設(shè)備在內(nèi)的整體LED產(chǎn)業(yè)投資的20%,研究重點(diǎn)將放在GaN芯片的生產(chǎn)以及功率芯片的研發(fā)上。  

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