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石墨烯目前是世上zui薄卻也是zui堅硬的納米材料 ，為世上電阻率zui小的材料。因為它的電阻率極低，電子遷移的速度極快，因此被期待可用來發展出更薄、導電速度更快的新一代電子元件或晶體管。由于石墨烯實質上是一種透明、良好的導體，也適合用來制造透明觸控屏幕、光板、甚至是太陽能電池。所以越來越多的廠家開始研究和生產石墨烯。
上海IKN也響應這個新興產業的號召，隨之研發出石墨烯高剪切研磨分散機，在生產石墨烯的過程中，如何將石墨更好的細化，以及細化后團聚問題的解決，成為的zui大的難點。
石墨烯漿料分為兩種，以水為介質分散叫水性，以NMP為介質分散叫油性，石墨烯根據石墨烯原料的不同，一般含量在2.5-5的固含量之間打成漿料，影響石墨烯分散或者剝離的因素有很多，設備的選型，分散劑的使用，固含量的把握
石墨烯主要制備方法：
制備石墨烯常見的方法為機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法和化學氣相沉積法（CVD）。
IKN石墨烯研磨設備采用德國先x的高速研磨分散技術，通過超高轉速（可達14000rpm）帶動超高精密的磨頭定轉子（通常配CM+8SF，定轉子間隙在0.2-0.3之間）使石墨烯漿料在設備的高線速度下形成湍流，在定轉子間隙里不斷的撞擊、破碎、研磨、分散、均質，從而得出超細的顆粒（當然也需要合適的分散劑做助劑）。綜合以上幾點可以得出理想的導電石墨烯漿料。
水性石墨烯漿料生產設備
在做納米粉體分散或研磨時，因為粉體尺度由大變小的過程中，范德華力及布朗運動現象逐漸明顯且重要。選擇適當助劑以避免粉體再次凝聚及選擇適當的研磨機來控制研磨漿料溫度以降低或避免布朗運動影響，是濕法研磨分散方法能否成功地得到納米級粉體研磨及分散關鍵技術。
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1.機械剝離法是利用物體與石墨烯之間的摩擦和相對運動，得到石墨烯薄層材料的方法。這種方法操作簡單，得到的石墨烯通常保持著完整的晶體結構，但是得到的片層小，生產效率低。
2.氧化還原法是通過將石墨氧化，增大石墨層之間的間距，再通過物理方法將其分離，***后通過化學法還原，得到石墨烯的方法。這種方法操作簡單，產量高，目前國內使用氧化，還原法制作石墨烯漿料的，如：寧波墨
稀、東莞鴻納、第六元素等企業，
3.SiC外延法是通過在超高真空的高溫環境下，使硅原子升華脫離材料，剩下的C原子通過自組形式重構，從而得到基于SiC襯底的石墨烯。這種方法可以獲得高質量的石墨烯，但是這種方法對設備要求較高
4.CVD也叫氣相沉積法是目前***有可能實現工業化制備高質量、大面積石墨烯的方法。這種方法制備的石墨烯具有面積大和質量高的特點，國內用氣相沉積法制作石墨烯漿料的如 重慶墨稀、常州第六元素等企業
CMD2000系列研磨分散機的結構：研磨式分散機是由錐體磨,分散機組合而成的高科技產品。
*級由具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調整到所需要的與轉子之間的距離。在增強的流體湍流下，凹槽在每級都可以改變方向。
第二級由轉定子組成。分散頭的設計也很好地滿足不同粘度的物質以及顆粒粒徑的需要。
CMD2000系列設備選型表
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型號 | 流量
L/H | 轉速
rpm | 線速度
m/s | 功率
kw | 入/出口連接
DN |
CMD2000/4 | 300 | 9000 | 23 | 2.2 | DN25/DN15 |
CMD2000/5 | 1000 | 6000 | 23 | 7.5 | DN40/DN32 |
CMD2000/10 | 2000 | 4200 | 23 | 22 | DN80/DN65 |
CMD2000/20 | 5000 | 2850 | 23 | 37 | DN80/DN65 |
CMD2000/30 | 8000 | 1420 | 23 | 55 | DN150/DN125 |
CMD2000/50 | 15000 | 1100 | 23 | 11O | DN200/DN150 |
流量取決于設置的間隙和被處理物料的特性，同時流量可以被調節到***大允許量的10%。
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