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西安立鼎光電科技有限公司


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硅APD探測器LD-Si-010

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品       牌

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更新時間：2024-03-09 13:58:46瀏覽次數：235次

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產品簡介

硅APD探測器LD-Si-010是0.4～1.1μm波長光信號的優良探測器，它具有n+p-πp+達通型結構，兼備了高靈敏度、高速響應和低噪聲三大優點。內部的雪崩倍增效應可達到120倍以上。適用于激光測距、測速、測角、光電探測和光電對抗等系統。

詳細介紹

硅APD探測器LD-Si-010是0.4～1.1μm波長光信號的優良探測器，它具有n+p-πp+達通型結構，兼備了高靈敏度、高速響應和低噪聲三大優點。內部的雪崩倍增效應可達到120倍以上。適用于激光測距、測速、測角、光電探測和光電對抗等系統。

硅APD探測器LD-Si-010

光電特性       

        TA=23℃

項目

符號

單位

數值

小

典型

大

1

光敏面

尺寸

直徑

Ф

mm

 

0.8

 

面積

A

mm2

 

0.5

 

2

光譜響應范圍

 

nm

400

 

1100

3

暗電流

Id

nA

 

 

100

4

工作電壓

Vopt

V

275

 

425

5

工作電壓溫度系數

K

V/℃

1.0

 

2.4

6

電壓響應度

1064nm

RV

V/W×105

1.1

1.4

 

900nm

RV

V/W×105

4.9

5.6

 

7

噪聲等效功率

1064nm

NEP

pW/Hz1/2

 

0.11

0.27

900nm

NEP

pW/Hz1/2

 

0.027

0.06

8

響應上升時間

Tr

ns

 

8

10

9

響應下降時間

Tf

ns

 

8

10

10

輸出阻抗

 

Ω

 

25

50

11

線性電壓輸出范圍

 

V

 

0.7

 

12

電壓輸出范圍

 

V

 

 

2.0

13

輸出端偏壓

 

V

0.0

-0.7

-1.0

14

放大器電源電壓

Vs

V

±5.5

±6.0

±9.0

15

放大器電源電流

Is

mA

 

5

8

16

工作環境溫度

Ta

℃

-40

 

+70

 

17

大反向暗電流

ID

μA

 

 

100

大光

電流

平均值

IP

mA

 

 

2.5

峰值

IP

mA

 

 

10

 


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