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更新時(shí)間：2023-10-24 15:36:35瀏覽次數(shù)：251次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來自 智慧城市網(wǎng)蔡司Crossbeam將場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)鏡筒的強(qiáng)大成像和分析性能與新-代聚焦離子束( FIB)的優(yōu)異加工能力相結(jié)合
蔡司Crossbeam將場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)鏡筒的強(qiáng)大成像和分析性能與新-代聚焦離子束( FIB)的優(yōu)異加工能力相結(jié)合
無論是切割、成像或進(jìn)行3D分析，Crossbeam 系列都能極大地提升您的應(yīng)用體驗(yàn)。借助Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可從高分辨率掃描電子顯微鏡( SEM)圖像中獲取真實(shí)的樣品信息。lon-sculptor FIB鏡筒整體上引入了全新的FIB加工方法。這種方法能夠減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。
通過為您量身定制儀器，可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高速度的TEM薄片樣品制備。Crossbeam 350具有可選的可變氣壓功能。Crossbeam 550可以針對您急需的樣品實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)苛的制樣與表征，以及選擇更適配樣品的樣品倉尺寸。
無論用于科研機(jī)構(gòu)還是工業(yè)實(shí)驗(yàn)室，單用戶實(shí)驗(yàn)室或多用戶實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，如果您追求獲得高質(zhì)量，高影響力的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，則蔡司Crossbeam的模塊化平臺(tái)設(shè)計(jì)允許您根據(jù)自身需求變化，隨時(shí)對儀器系統(tǒng)進(jìn)行升級。
更簡單、更智能、更高度集成
深入洞察樣品的2D、3D細(xì)節(jié)
蔡司Crossbeam的Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)提供出色的樣品圖像。該技術(shù)除擁有高信噪比優(yōu)勢外，還具備高分辨率和高襯度，在加速電壓較低時(shí)亦能保持高水準(zhǔn)。利用FIB在低電壓.下的出色性能可制備出高質(zhì)量損傷小的樣品(如TEM薄片樣品)，并在獲取3D數(shù)據(jù)中對樣品進(jìn)行全面表征。同時(shí)，系統(tǒng)還采用多種探測器，的能量選擇背散射(InlensEsB)探測器可進(jìn)行純材料成分襯度的成像。可在維持樣品倉內(nèi)高真空的同時(shí)利用局部電荷補(bǔ)償，或采用Crossbeam 350選配的可變氣壓模式，均可使用戶在測試非導(dǎo)電樣品時(shí)不受荷電效應(yīng)干擾。
提升樣品制備效率
將Gemini光學(xué)系統(tǒng)與全新的FIB加工方法相結(jié)合:憑借lon-sculptor FIB鏡筒在低電壓下的優(yōu)異性能，可快速獲得精確的結(jié)果，同時(shí)降低樣品的非晶體化損傷。在制備TEM薄片樣品，尤其是挑戰(zhàn)性的樣品時(shí)，可充分發(fā)揮這些優(yōu)勢。FIB 的大束流功能還擁有更多優(yōu)勢，包括使用高達(dá)100 nA的束流，不僅為您節(jié)省時(shí)間，同時(shí)可獲得更高的FIB加工精度，自動(dòng)批量制備截面或用戶自定義圖形，可以節(jié)省更多時(shí)間。優(yōu)化的日常工作流程增強(qiáng)了FIB 離子源的使用壽命和穩(wěn)定性，且在長期實(shí)驗(yàn)中更具優(yōu)勢。
出色的3D分辨率
憑借出色的3D分辨率和各向一致三維體素尺寸，用戶可在FIB-SEM斷層掃描成像中獲取更精準(zhǔn)、可靠的結(jié)果。Inlens EsB探測器能對深度小于3 nm的樣品切片進(jìn)行探測和成像。為其開發(fā)的Altas5，可快速且精確地控制每一片切片厚度，幫助您擴(kuò)展Crossbeam產(chǎn)品的3D采集功能。您還可以在切片的同時(shí)進(jìn)行成像，從而大大節(jié)約時(shí)間。此外，對三維體素尺寸的實(shí)時(shí)追蹤和全自動(dòng)圖像聚焦像散流程也會(huì)讓您獲益匪淺。同時(shí)，Atlas5中全新集成的分析模塊可在斷層成像期間進(jìn)行3D EDS和3D EBSD分析。
技術(shù)參數(shù)
| 蔡司Crossbeam 350 | 蔡司Crossbeam 550 | |
| 掃描電子顯微鏡(SEM) | 肖特基發(fā)射源 | 肖特基發(fā)射源 |
| 1.7nm@1 kV 0.9 nm @15 kV | 1.4 nm @1 kV | |
| 1.2 nm @1 kV,配備Tandem decel | ||
| 1.6 nm @ 200 V,配備Tandem decel | ||
| 0.7 nm @15 kV | ||
| 0.7 nm @30 kV(STEM模式) | 0.6 nm @30 kV(STEM模式) | |
| 2.3 nm @1kV(工作距離5mm) 1.1 nm @15kV(工作距離5mm) | 1.8 nm @1 kV(工作距離5mm) | |
| 1.3 nm @1kV,配備Tandem decel(工作距離5mm) | ||
| 0.9 nm @15 kV(工作距離5mm) | ||
| 2.3 nm @20 kV&10 nA(工作距離5mm) | 2.3 nm @20 kV&10 nA(工作距離5mm) | |
| 電子束流：5 pA-100 nA | 電子束流：10 pA-100 nA | |
| 聚焦離子束(FIB) | 液態(tài)金屬離子源：壽命：3000μAh | 液態(tài)金屬離子源：壽命：3000μAh |
| 分辨率：3 nm @30 kV(統(tǒng)計(jì)方法) | 分辨率：3nm @30 kV(統(tǒng)計(jì)方法) | |
| 分辨率：120nm@1kV&10pA(可選) | 分辨率：120 nm @1kV&10 pA | |
| 檢測器 | Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可變氣壓二次電子探測器)、 | Inlens SE、Inlens EsB、ETD(Everhard-Thornley探測器)、 SESI(二次電子二次離子探測器)、aSTEM(掃描透射電子探測器)、 aBSD(背散射探測器)和CL(陰極熒光探測器) |
| 樣品倉規(guī)格和端口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有18個(gè)可配置端口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有18個(gè)可配置端口 大型樣品倉配有22個(gè)可配置端口 |
| 樣品臺(tái) | X/Y=100 mm | X/Y =100mm X/Y=153mm |
| Z=50 mm, Z'=13 mm | Z=50 mm,Z'=13 mm Z=50 mm,Z'=20 mm | |
| T=-4°至70°,R=360° | T=-4°至70°,R=360° T=-15°至70°,R=360° | |
| 電荷控制 | 電子束流槍 | 電子束流槍 |
| 局部電荷中和器 | 局部電荷中和器 | |
| 可變氣壓 | - | |
| 氣體 | 單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H?O | 單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H?O |
| 多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H?O、SiOx, XeF2。 | 多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOx、XeF2。 |
| 蔡司Crossbeam 350 | 蔡司Crossbeam 550 | |
| 存儲(chǔ)分辨率 | 32k×24k(使用選配的ATLAS 53D斷層掃描模塊，可高達(dá)50k×40k) | 32k×24k(使用選配的ATLAS53D斷層掃描模塊，可高達(dá)50k×40k) |
| 可選分析附件 | EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要還可提供其他選件 | EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要還可提供其他選件 |
| 優(yōu)勢 | 由于采用可變氣壓模式及廣泛的原位實(shí)驗(yàn)，可大幅擴(kuò)大樣品兼容性。 | 以高通量完成分析與成像，且在各種條件下皆可獲得高分辨率。 |
| 可伸縮ToF-SIMS二次離子質(zhì)譜儀 |
| |
| 探測限值：<4,2 ppm(硅中的硼) | ||
| 橫向分辨率：<35 nm | ||
| 質(zhì)荷比范圍：1-500 Th | ||
| 質(zhì)量分辨率：m/△m>500 FWTM | ||
| 縱向分辨率：<20 nm AlAs/GaAs多層結(jié)構(gòu) | ||
| 飛秒激光器 |
| |
| 類型：DPSS(二極管抽運(yùn)全固態(tài)激光器) | ||
| 波長(λ): 515 nm(綠色) | ||
| 光路：遠(yuǎn)心光路 | ||
| 脈沖間隔：<350 fs | ||
| 束斑尺寸：<15μm | ||
| 掃描范圍：40x40 mm² | ||
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