1、本產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)：

●  全自動(dòng)聚焦，全自動(dòng)掃描點(diǎn)碼和蝕刻徑跡；

●  全自動(dòng)測(cè)讀批量探測(cè)器；

●  快速測(cè)讀，測(cè)讀時(shí)間為30~60秒（與參數(shù)設(shè)置相關(guān)）；

●  自動(dòng)修正探測(cè)器響應(yīng)衰退，保證探測(cè)器可用于12個(gè)月的長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)；

●  高度精密的圖像分析技術(shù)，可區(qū)分徑跡與本底特征；

●  全自動(dòng)本底評(píng)估（對(duì)每個(gè)探測(cè)器）；

●  掃描數(shù)據(jù)自動(dòng)轉(zhuǎn)換為中子劑量/氡濃度，數(shù)據(jù)可導(dǎo)出excel文件。

2、設(shè)備配置

2.1 徑跡分析單元             1臺(tái)

2.2 蝕刻單元                 1套

2.3 軟件系統(tǒng)                 1套

2.4 工作站                   1套

2.5 打印機(jī)                   1臺(tái)

2.6 掃描/蝕刻架             2個(gè)

2.7 蝕刻籃（容納6個(gè)蝕刻盤） 1個(gè)

2.8 探測(cè)器（2.5*2.5cm）     400個(gè)

2.9 氡劑量盒                100個(gè)

2.10 氡杯                    100個(gè)                        

2.11中子劑量盒              100個(gè)

2.12 中子劑量檢測(cè)附件        1套

2.13 計(jì)量部門出具的校準(zhǔn)證書  1份

2.14 NaOH固體AR分析純      10瓶

2.15 冰醋酸                  2瓶

3、技術(shù)參數(shù)

3.1 探測(cè)器

3.1.1 類型：聚丙烯二甘醇碳酸酯，簡(jiǎn)稱PADC或CR39

3.1.2 性能：應(yīng)用于中子及氡的測(cè)量，為高靈敏度、低本底，對(duì)γ射線、β射線不靈敏

3.1.3 尺寸：可根據(jù)客戶需求制作成各種尺寸（例如2.5cm×2.5cm），探測(cè)器上刻有數(shù)字編碼及孔碼

3.1.4 體蝕刻速率：98℃的6.25mol/L氫氧化鈉溶液中，≥10μm/h。

3.1.5 徑跡蝕刻速率與體蝕刻速率比值的值≥12；當(dāng)α粒子在探測(cè)器中射程≤4μm時(shí)，比值≥8；當(dāng)α粒子在探測(cè)器中射程≤10μm時(shí)，比值≥6。

3.1.6 測(cè)量范圍：氡為5Bq/m³-15MBq/m³，中子為200keV-14MeV，可拓展至中子熱能區(qū)

3.1.7 本底：＜20tracks/cm²

3.2 蝕刻單元

3.2.1 蝕刻架：耐腐蝕不銹鋼蝕刻架，也用作掃描架，單個(gè)蝕刻架可容納49枚2.5cm×2.5cm探測(cè)器，或≥144枚1cm×1cm探測(cè)器，并且可定制其他規(guī)格。

3.2.2 蝕刻籃：金屬材質(zhì)，可容納6個(gè)蝕刻架。

3.2.3 蝕刻速率：蝕刻溫度為75℃時(shí)，速率≥1.8μm/h；蝕刻溫度為98℃時(shí)，速率≥10μm/h。

3.2.4 蝕刻條件：對(duì)于氡，當(dāng)蝕刻溫度為98℃時(shí)，蝕刻時(shí)間≤1小時(shí)。對(duì)于中子，當(dāng)蝕刻溫度為85℃時(shí)，蝕刻時(shí)間≤2小時(shí)50分鐘

3.2.5蝕刻水浴槽：加熱溫度范圍不低于99℃，帶攪拌功能

3.2.6兼容性：可搭配不同廠家的蝕刻系統(tǒng)，如水浴鍋、蝕刻架等，蝕刻條件也可調(diào)整

3.3 徑跡分析單元

3.3.1 徑跡掃描模塊：數(shù)字CCD相機(jī)10bit、灰度水平1024,具有20倍物鏡，放大倍數(shù)為2個(gè)像素/微米，配置物鏡轉(zhuǎn)換器以及顯微鏡高度粗和細(xì)調(diào)節(jié)旋鈕。

3.3.2 采用面積掃描法，速度≥10mm²/s，每秒可掃描分析≥8張圖像，具有對(duì)處于視野邊界上徑跡的縫合算法，即對(duì)某視野邊界上的徑跡僅記錄其位置信息，并在移動(dòng)至相鄰視野時(shí)將原邊界上的徑跡包含進(jìn)來(lái)再分析。

圖1 與縫合算法相關(guān)的縫合設(shè)置

圖2探測(cè)器多視野縫合圖片，共計(jì)80個(gè)視野，相鄰視野采用縫合算法

3.3.3中子和氡測(cè)量采用LED照明系統(tǒng)，光譜為波長(zhǎng)約550nm的綠光，LED發(fā)射光照射至CR39的路徑上無(wú)玻璃等障礙物，減少透射光被干擾及波動(dòng)。

3.3.4采用可拆卸的金屬掃描架同時(shí)也可作為蝕刻架。單個(gè)掃描架可容納若干個(gè)CR39元件，可定制掃描架容量。常規(guī)容量49個(gè)（2.5cm×2.5cm）或144個(gè)（1cm×1cm）。

3.3.5掃描能力：步進(jìn)電機(jī)為3D（X、Y、Z軸）機(jī)動(dòng)控制系統(tǒng)，可編程自主定義相機(jī)的掃描路徑。掃描過(guò)程中，能檢查、評(píng)估每個(gè)探測(cè)器的傾斜角度并反饋。能編程自主定義探測(cè)器內(nèi)的掃描面積和定位方式，例如從某位置直接掃描或自動(dòng)識(shí)別邊緣再掃描。

3.3.6自動(dòng)化掃描分析：能自動(dòng)識(shí)別探測(cè)器編號(hào)，單片自動(dòng)測(cè)讀以及批量全自動(dòng)測(cè)讀，可一鍵返回測(cè)量起點(diǎn)。掃描后給出每個(gè)探測(cè)器的編號(hào)、位置、徑跡密度、掃描品質(zhì)評(píng)估代碼等信息，支持對(duì)部分探測(cè)器重新掃描后給出最終結(jié)果。

3.3.7數(shù)據(jù)：在掃描過(guò)程中以USB3.0高速傳輸并自動(dòng)保存圖像，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)，至少支持三種圖像保存方式，即掃描視野的每幀圖像，單徑跡圖像，探測(cè)器掃描面積的整體圖像。

圖3 保存圖像設(shè)置（包括5個(gè)選項(xiàng)）

圖4 探測(cè)器掃描面積的整體圖像

圖 5 單徑跡圖像

圖6 掃描視野的每幀圖像

3.3.8 能對(duì)每個(gè)CR39探測(cè)器進(jìn)行響應(yīng)衰退修正。

3.3.9 測(cè)量能力：對(duì)中子，劑量范圍不窄于0.1 mSv - 600 mSv，相對(duì)誤差小于5%；對(duì)于氡，下限≤5Bq/m³，上限≥15MBq/m³，在200-5000 Bq/m³，相對(duì)誤差為3%-6%，如累積暴露量為500kBqh/m³時(shí)，精確度≤4%。

3.3.10 具備氡和釷甄別能力。

3.3.11 可通過(guò)校準(zhǔn)圖像來(lái)修正相機(jī)內(nèi)部積灰的影響。

3.3.12 對(duì)于單片探測(cè)器，可自動(dòng)分析，發(fā)現(xiàn)異常劑量探測(cè)器也可以進(jìn)行人工觀察分析。

3.3.13 徑跡分析單元整體尺寸：54cm×48cm×40cm。

3.4 軟件系統(tǒng)

3.4.1基于對(duì)徑跡參數(shù)的測(cè)量及分析來(lái)甄別徑跡，其中所用參數(shù)應(yīng)自動(dòng)計(jì)算，無(wú)需手動(dòng)輸入。修改參數(shù)后可另存為單獨(dú)的軟件程序。軟件算法模擬α粒子徑跡形成發(fā)展的數(shù)學(xué)模型中V（徑跡蝕刻速率與體蝕刻速率的比值）為粒子射程的函數(shù)且為變量。能區(qū)分≥2000個(gè)/cm²本底徑跡特征。對(duì)中子蝕刻徑跡的分析能防止氡干擾，即分析高氡暴露但無(wú)中子輻照的探測(cè)器，也不應(yīng)產(chǎn)生明顯的中子信號(hào)。

3.4.2具有氡和中子分析模塊，分別應(yīng)用不同的數(shù)據(jù)庫(kù)和響應(yīng)算法，能將數(shù)據(jù)結(jié)果導(dǎo)出為excel文件。

3.4.3 中子分析具備≥4個(gè)不同蝕刻條件數(shù)據(jù)庫(kù)，≥2種智能算法，算法至少包括（1）由同類中子響應(yīng)數(shù)據(jù)獲取徑跡特征來(lái)自修正結(jié)果；（2）刻度劑量來(lái)修正同批次結(jié)果。

3.4.4 能將每個(gè)探測(cè)器的分析結(jié)果導(dǎo)出為excel文件，導(dǎo)出信息包括每個(gè)徑跡的位置坐標(biāo)、開口長(zhǎng)短軸、投影長(zhǎng)度、徑跡末端直徑等參數(shù)。能自動(dòng)修正Po-214過(guò)度析出，用以修正氡盒內(nèi)探測(cè)器的靜電效應(yīng)。

圖7 導(dǎo)出參數(shù)信息（X/Y為徑跡坐標(biāo)，MAJ、MIN為開口長(zhǎng)短軸，XT為投影長(zhǎng)度，M2為一半末端直徑參數(shù)）

圖8 修正Po-214過(guò)度析出選項(xiàng)

3.4.5 具有可調(diào)節(jié)的噪聲過(guò)濾程序，對(duì)不同徑跡特征可采取的接受/拒絕的強(qiáng)弱程度≥4檔（至少包括a盡可能多地保留所有真實(shí)徑跡數(shù)據(jù)；b只移除具有特定噪聲特征的徑跡，保留具有真實(shí)徑跡特征的徑跡；c當(dāng)徑跡的大部分特征為噪聲特征時(shí)則移除該徑跡，而不考慮可能存在的部分真實(shí)徑跡特征；d只要探測(cè)到任意噪聲特征則移除該徑跡）。

圖9 噪聲過(guò)濾程序，包括關(guān)、低、中、高、強(qiáng)共5個(gè)選項(xiàng)

3.4.6 可實(shí)時(shí)顯示相機(jī)視野或徑跡分布圖，可分別通過(guò)軟件和鍵盤控制視野的移動(dòng)。具有單獨(dú)的操作日志信息顯示區(qū)，能實(shí)時(shí)查看軟硬件狀態(tài)信息、時(shí)間標(biāo)記的操作指令和運(yùn)行結(jié)果等信息。

3.4.7 軟件中可顯示所有歷史數(shù)據(jù)，以及近一小時(shí)、近一周、近一個(gè)月等時(shí)間間隔的數(shù)據(jù)，并可打印數(shù)據(jù)。

3.4.8 一鍵定位：在軟件中輸入位置坐標(biāo)后，可一鍵將視野移動(dòng)至該位置，也可無(wú)需輸入位置坐標(biāo)而一鍵將視野移動(dòng)至起始位置。

3.4.9 軟件可分別運(yùn)行單片自動(dòng)掃描、多片批量自動(dòng)掃描，在掃描過(guò)程中實(shí)時(shí)顯示累積分析的視野數(shù)和總徑跡數(shù)。

3.4.10 手動(dòng)分析：能將已保存的掃描單幀圖像導(dǎo)入軟件來(lái)手動(dòng)分析?？筛鶕?jù)不同的徑跡參量設(shè)定感興趣區(qū)來(lái)編輯和選擇數(shù)據(jù)。

3.4.11 多片批量自動(dòng)掃描后能在軟件中顯示探測(cè)器編號(hào)、徑跡密度、掃描品質(zhì)代碼，輸出結(jié)果前可對(duì)任意所選探測(cè)器進(jìn)行一鍵重新掃描分析。在軟件中顯示的最終結(jié)果應(yīng)包括探測(cè)器編號(hào)、掃描時(shí)間、氡監(jiān)測(cè)的開始和結(jié)束時(shí)間、監(jiān)測(cè)天數(shù)、氡暴露量、氡濃度、徑跡密度、掃描品質(zhì)代碼。

3.4.12 軟件中的氡分析模塊能同時(shí)應(yīng)用探測(cè)器響應(yīng)衰退修正和Po-214析出修正。

3.4.13 可在Windows10、Windows8、Windows7等平臺(tái)運(yùn)行，支持軟件升級(jí)。

3.5 中子劑量檢測(cè)附件

3.5.1.探測(cè)器：雙探測(cè)器（硅二極管和環(huán)形二極管）；

3.5.2.能量范圍:15 keV ~7 MeV（X和伽馬），0.025eV ~ 15MeV（中子）

3.5.3.報(bào)警模式：聲光、震動(dòng)；

3.5.4.防護(hù)等級(jí)：IP67，可1米深水下放置1小時(shí)；

3.5.5. 產(chǎn)品有良好的擴(kuò)張性；使用無(wú)線模塊實(shí)現(xiàn)區(qū)域無(wú)線劑量實(shí)時(shí)傳送、PRD模塊實(shí)現(xiàn)探測(cè)尋找放射源、中子Hp（10）模塊實(shí)現(xiàn)中子劑量實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)報(bào)警、Beta Hp(O.O7)模塊實(shí)現(xiàn)Beta劑量實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)報(bào)警。

3.5.6.精確度:≤ ± 10% (16 keV,X 射線)、≤ ± 10% (²⁴¹Am，～23mSv／h)、≤ ± 15% (¹³⁷Cs，～24mSv／h) ，≤ ± 10% (AmBe，～0.75mSv／h)

3.5.7.無(wú)外接模塊時(shí)電池可持續(xù)工作不低于2500小時(shí)，外接中子模塊時(shí)，電池可持續(xù)工作2000個(gè)小時(shí)

3.5.8.探測(cè)范圍: 1 μSv ~ 10 Sv，0.1 μSv/h ~ 10 Sv/h（X和伽馬），1 μSv ~ 10 Sv，100 μSv/h ~ 10 Sv/h（中子）

3.5.9.抗電磁干擾，并提供第三方電磁干擾測(cè)試報(bào)告

3.6 工作站

3.6.1便攜式數(shù)據(jù)分析終端 ，CPU不低于i5（四核心以上），內(nèi)存容量不小于16GB，硬盤不低于512G（固態(tài)硬盤）

3.6.2臺(tái)式數(shù)據(jù)分析終端 ，CPU不低于i7（四核心以上），內(nèi)存容量不小于32GB，硬盤不低于1T（固態(tài)硬盤）