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上海德竹芯源科技有限公司
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SI 500 D 是基于平行板三螺旋天線（PTSA）設計的平行板電極式電感耦合等離子體化學氣相沉積（ICP-CVD）設備，PTSA射頻等離子體源可有效地提高等離子體的密度，達到低功率，高密度，低溫，低損傷的工藝效果。
電感耦合等離子體化學氣相沉積
Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD
SI 500 D ICP-CVD 使用平行板三螺旋天線（PTSA）設計，兼具平行板CCP和ICP兩種射頻源的特點，可實現低溫低損傷低應力介質薄膜沉積。
平行板三螺旋天線（PTSA）設計ICP-CVD
主要技術特點
● 高密度等離子體：具有優異的等離子體特性，如高密度，低離子能量和低壓等離子體。
● 低功率耦合：SENTECH 的平行板三螺旋天線 (PTSA) 等離子體源技術，實現低功率耦合。
● 低溫等離子體：低刻蝕速率、高擊穿電壓、低應力、不損傷襯底，以及在低于 100°C 的沉積溫度下的低界面態密度，使得所沉積的薄膜具有優異的性能。
● 動態溫度控制：動態溫度控制結合氦氣背冷的襯底電極，襯底溫度控制：室溫到 +350°C 。
主要配置特點
● SI 500 D ICP-CVD可沉積各種常見薄膜，如介質膜、α-Si、SiC 和其他材料。平行板三螺旋天線（PTSA）等離子體設計，獨立的反應氣體控制、動態溫度控制襯底電極、全自動控制的高真空系統、采用遠程現場總線技術的 SENTECH 控制系統，以及用戶友好的軟件界面。
● SI 500 D ICP-CVD兼容各種各樣的襯底，從直徑 200 mm（8英寸） 的晶片到裝載在載片器上的碎片。單晶片預真空室保證了穩定的工藝條件和人員的安全，并實現了不同工藝之間的快速便捷切換。
● SI 500 D ICP-CVD可實現從室溫到 350℃ 的溫度范圍內沉積 SiO2、SiNx、SiONx 和 α-Si 薄膜?？杉嫒菀簯B或氣態前驅體，可提供 TEOS, SiC 和其它特殊材料和前驅體的薄膜沉積提供全套解決方案。特別適用于在有機材料上低溫沉積保護層和在既定的溫度下無損傷地沉積鈍化膜。
● SENTECH 提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或六個工藝模塊端口，具有很高的升級靈活性或高產能拓展可能性。該系統可用作多腔系統中的一個工藝模塊，直接集成于其中。
應用展示
低溫沉積，高臺階覆蓋性，高致密度沉積
低溫沉積Si薄膜拉曼譜
用戶友好界面控制軟件
SI 500 D 配置選擇
● ICP-CVD 主機
● 單片預真空室
● 多片預真空室
● 適用于 200 mm（8英寸） 的晶圓
● 襯底溫度從室溫到 350?°C
● 激光終點檢測
● 備選電極偏置
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