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上海德竹芯源科技有限公司
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SI 500 PPD 等離子體增強化學氣相沉積系統采用經典平行板電極設計，兼容低溫沉積工藝。
等離子體增強化學氣相沉積
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
SI 500 PPD PECVD 采用經典平行板電極設計，兼容低溫沉積工藝。
主要配置特點
● 工藝靈活性：SI 500 PPD PECVD 可在從室溫到 350℃ 的溫度范圍內進行 SiO2、SiNx、SiOxNy 和 α-Si 的標準的等離子體化學氣相沉積工藝。
● 預真空室：SI 500 PPD PECVD 的特色是配備預真空室和干泵，用于無油、高效率化學氣相沉積過程。
● 控制軟件：SENTECH強大的用戶界面友好軟件，包括模擬圖形用戶界面、參數窗口、工藝菜單編輯窗口、數據記錄和用戶管理。
應用展示
低溫沉積Si、SiO2薄膜
用戶友好控制軟件
SI 500 PPD配置選項
● 等離子體增強化學氣相沉積主機
● 預真空室
● 適用于大到 200mm 的晶片
● 襯底溫度：從室溫到 350?°C
● 可選低頻射頻進一步降低應力
● 用于沉積 TEOS 的液態前驅體解決方案
● 干泵組
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