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上海德竹芯源科技有限公司
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動態二次離子質譜儀（D-SIMS）是使用一次離子束（通常是Cs源）轟擊樣品表面，而產生二次離子，然后用質譜分析儀分析二次離子的質荷比（m/q），從而得知元素在樣品中的深度分布，是分析半導體摻雜和離子注入的有力的工具。
優勢
● ULVAC-PHI 新設計的四極桿-二次離子質譜儀 ADEPT 1010，在原有的 PHI 6300 和 PHI 6600 的基礎上，改善了離子光學系統，是在一次離子能量低至 250eV 時，仍保持有效的濺射束流的動態二次離子質譜系統（D-SIMS）。
特點
● 大束流低能量離子槍設計，提高了深度分辨率
● 高性能離子光學系統，改善了二次離子傳輸效率，在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度
● 高精度全自動 5 軸樣品操控臺
● 不同方向進入檢測器的二次離子，均可被高靈敏地收集檢測
應用實例分析
● 采用一次離子源 Cs 在加速 5kV 束流為 100nA 的條件下，分析 GaAs 中注入的 H，C，O 元素。可以看到 H 檢測限值 7.1 × 1016 atm/cm3，O 檢測限值 4.4 × 1015 atm/cm3，C 檢測限值 2.0 × 1015 atm/cm3。
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