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上海德竹芯源科技有限公司
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PHI 4700 以 AES 分析技術為基礎，搭配高靈敏度的半球型能量分析器、 10 kV LaB6 掃描式電子槍、5 kV 浮動柱狀式Ar離子槍及高精密度的自動樣品臺，可對樣品進行俄歇縱深分析、微區域的失效分析，提供全自動與高效率的解決方法。
優點
● 薄膜成分分析
● 膜層的厚度測量
● 檢測相互擴散層
● 微米范圍多點分析
基本規格
全自動多樣品縱深分析
● PHI 4700 薄膜分析儀在微小區域的縱深分析上擁有優異的分析能力，可在SEM圖像上對微米級區域快速進行深度分析。圖2是長年使用的鍍金電極正常與變色兩個樣品的縱深分析結果，兩者材質皆為鍍金的錫磷合金。從電極二（變色電極）的深度分析結果可看到金屬錫擴散到鍍金膜上，界面腐蝕導致鍍金層氧和錫含量變高，從而導致電極變色。
圖1 – 圖左鍍金電極正常樣品縱深分析結果 圖右鍍金電極變色樣品縱深分析結果，可看到金屬錫擴散到了鍍金膜層
高感度半球型能量分析器
● PHI 4700 半球形能量分析器和高傳輸輸入鏡頭可提供高靈敏度，大幅縮短樣品分析時間。除此之外，PHI 4700 具有全自動的分析功能，可在短時間內測量多個樣品。點選屏幕上軟件所顯示的樣品臺，可以記錄樣品的分析位置，從而對不同樣品或者樣品的不同位置進行分析。
紀錄量測位置 > 多樣品量測之圖譜 > 多樣品之縱深分析
10 kV LaB6掃瞄式電子槍
● PHI 的 06-220 電子槍使用 LaB6 為電子源燈絲，具有穩定且使用壽命較長的特點，主要在氬氣濺射薄膜時進行深度分析。06-220 電子槍打在樣品表面可進行二次電子成像，進行俄歇表面分析和多點分析。其加速電壓在 0.2-10 kV 區間可調。電子束的最小尺寸可小于 80 納米。
浮動柱狀式Ar離子槍
● PHI 的 FIG- 5B 浮動柱狀式Ar離子槍可提供 5 V-5 kV 能量的 Ar 離子。大電流高能量離子束用于厚膜，小電流低能量離子束（250-500 V）用于超薄膜。浮動柱狀式，確保高蝕刻率與低加速電壓。物理彎曲柱會停止高能量的中性原子，從而改善了接口定義和減少對鄰近地區的濺射。浮動柱狀式設計確保了低加速電壓下的高刻蝕效率，物理彎曲柱會阻止高能量的中性原子通過，從而改善了接口定義，減少了對臨近區域的損傷。
五軸電動樣品臺和Zalar方位旋轉
● PHI 的15-680 精密樣品臺提供 5 軸樣品傳送：X、Y、Z，旋轉和傾斜。所有軸都可通過軟件控制，以方便就多個樣品進行的自動縱深分析。樣品臺提供 Zalar（方位角）旋轉的縱深剖析，使濺射區域更加均勻，以優化縱深分析。
PHI SmartSoft用戶界面
● PHI SmartSoft 是一個方便使用的儀器操作軟件。軟件通過任務導向和卷標橫跨頂部的顯示指導用戶輸入樣品，定義分析點，并設定分析。一個強大的“自動Z軸定位"功能可定義多個分析點并達到理想的樣品分析定位。簡潔明了的界面設計及軟件功能設置可以讓操作者快速上手，方便設置，保存和調取分析參數。
圖3 - PHI SmartSoft用戶界面說明：自動多樣品分析，二次電子成像，俄歇譜和俄歇表面成像
可選用配備
● 熱/冷樣品臺
● 樣品真空傳送管（Sample Transfer vessel）
應用領域
● 半導體薄膜產業
● 微電子封裝產業
● 無機光電產業
● 微摩擦學
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