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上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH 400

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參   考   價(jià): 360000

訂  貨  量: ≥1  臺

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地上海市

聯(lián)系方式:查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2024-05-03 17:32:14瀏覽次數(shù):217次

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經(jīng)營模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:76條

所在地區(qū):上海上海市

聯(lián)系人:鄧 (銷售助理)

產(chǎn)品簡介

上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3"
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2

詳細(xì)介紹

霍爾離子源 eH 400

美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3"
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號

eH 400 / eH 400 LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300 V VDC

 - 離子源直徑

~ 4 cm

 - 陽極結(jié)構(gòu)

模塊化

電源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發(fā)散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

3.0'

  - 直徑

3.7'

  - 加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

6-30"

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 霍爾離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生



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