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ON Semiconductor IGBT

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種用于高壓/大電流和高速的電源開關(guān)場(chǎng)合的開關(guān)器件。目前它的主要用于大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用——逆變器和轉(zhuǎn)換器，可以有效地將直流電壓轉(zhuǎn)換為變頻交流電壓。ON Semiconductor擁有*的HPD IGBT的設(shè)計(jì)技術(shù)，使其IGBT產(chǎn)品一直處于IGBT應(yīng)用市場(chǎng)的地位。

詳細(xì)介紹

ON Semiconductor IGBT特點(diǎn)

  • 在IGBT 1200V的高速應(yīng)用中，ON Semiconductor的IGBT相比其他同類競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手擁有性能。其IGBT可以做到飽和壓降溫漂小，內(nèi)部的二極管開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，從而可以極大地減小自身發(fā)熱和提升系統(tǒng)的工作效率。
  • ON Semiconductor可提供IGBT+SiC的復(fù)合產(chǎn)品。這種類型的產(chǎn)品可以極大的提升系統(tǒng)的工作效率，尤其適用于HPPC（High Performance Power Conversion）的應(yīng)用場(chǎng)合。
  • ON Semiconductor的IGBT已經(jīng)應(yīng)用于汽車，太陽(yáng)能逆變器，UPS，交流電機(jī)，高溫焊接，電池感應(yīng)加熱等多方面應(yīng)用。


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