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北京智德創新儀器設備有限公司


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介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)

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參   考   價: 78000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌其他品牌

廠商性質其他

所  在  地北京市

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更新時間:2024-02-03 11:12:02瀏覽次數:164次

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產品簡介

介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)標準:
GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質損耗因數的推薦方法;
GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數和介質損耗角正切值的測定方法;
ASTM D150-11實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率(介電常數)的標準試驗方法;
GBT5594.4-2015電子元器件結構陶瓷材料性能測試方法;

詳細介紹

介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)

  損耗的形式

  介質損耗的表示方法

  介質損耗和頻率、溫度的關系

  無機介質的損耗 

  介質損耗定義:

  電介質在單位時間內消耗的能量稱為電介質損耗功率,簡稱電介質損耗。或:電場作用下的能量損耗,由電能轉變為其它形式的能,如熱能、光能等,統稱為介質損耗。它是導致電介質發生熱擊穿的根源。 

  損耗的形式:

  電導損耗:在電場作用下,介質中會有泄漏電流流過,引起電導損耗。 實質是相當于交流、直流電流流過電阻做功,故在這兩種 條件下都有電導損耗。絕緣好時,液、固電介質在工作電 壓下的電導損耗是很小的,

  極化損耗:只有緩慢極化過程才會引起能量損耗,如偶極子 的極化損耗。 

  游離損耗:氣體間隙中的電暈損耗和液、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱為游離損耗。

  介質損耗的表示:

  當容量為C0=e0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt。則:

1、電容器極板間為真空介質時, 電容上的電流為:

2、電容器極板間為非極性絕緣材料時,電容上的電流為:

3、電容器極板間為弱導電性或極性,電容上的電流為: 

G是由自由電荷產生的純電導,G=sS/d C=eS/d 

  如果電荷的運動是自由的, G實際上與外電壓額率無關;如果這些電荷是被 符號相反的電荷所束縛, 如振動偶極子的情況,為頻率的函數。 

介質弛豫和德拜方程: 

  1)介質弛豫:在外電場施加或移去后,系統逐漸達到平衡狀 態的過程叫介質弛豫。 介質在交變電場中通常發生弛豫現象,極化的弛豫。在介質上加一電場,由于極化過程不是瞬時的,極化包括兩項:

  P(t) = P0 + P1(t)

P0代表瞬時建立的極化(位移極化) P1代表松弛極化P1(t)漸漸達到一穩定值。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致。 當時間足夠長時, P1(t)→ P 1 ∞  而總極化P(t) → P∞ 

2)德拜(Debye)方程:

  頻率對在電介質中不同的馳豫現象有關鍵性的影響。 設低頻或靜態時的相對介電常數為ε(0),稱為靜態相對介電常數;當頻率ω→∞時,相對介電常數εr’ →ε∞( ε∞代表光頻 相對介電常數)。則復介電常數為:
 

影響介質損耗的因素:

1、頻率的影響

  ω→0時,此時不存在極化損 ,主要由電導損耗引起。 tgδ=δ/ωε,則當ω→0時, tgδ→∞。隨著ω升高,tgδ↓

  隨ω↑,松弛極化在某一頻率開始跟不上外電場的變化, 松弛極化對介電常數的貢獻 逐漸減小,因而εrω↑ 在這一頻率范圍內,由于ωτ <<1,故tgδω↑

  當ω很高時,εr→ε∞,介電常數僅 由位移極化決定,εr趨于最小值。 由于ωτ >>1,此時tgδω↑ ω→∞時,tgδ→0

tgδ達最大值時ωm的值由下式求出

  tgδ的最大值主要由松弛過程決定。如果介質電導顯著變大,則tgδ的最大值變得平坦, 最后在很大的電導下,tgδ無最大值,主要表現為電導損耗特征:tgδω成反。
 

2、溫度的影響

  當溫度很低時較大,由德拜關系式可知,εr較小,tgδ也較小。此時,由于ω2τ2>>1,由德拜可得:

隨溫度τ↓,所以εrtgδ↑
 

  當溫度較高時,τ較小,此時ω2τ2<<1

隨溫度τ↓,所以tgδ ↓。這時電導上升并不明顯,主要決定于極化過程:

  當溫度繼續升高,達到很大值時, 離子熱運動能量很大,離子在電場作用下的定向遷移受到熱運動的阻礙,因而極化減弱,εr↓。此時電導損耗劇烈tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升
 

介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)-3.濕度的影響 

  • 介質吸潮后,介電常數會增加,但比電導的增加要慢,由于電導損耗增大以及松馳極化損耗增加,而使tgδ增大。

  • 對于極性電介質或多孔材料來說,這種影響特別突出,如,紙內水分含量從4%增加到10%時,其tgδ可增加100倍。

  降低材料的介質損耗的方法

  (1)選擇合適的主晶相:盡量選擇結構緊密的晶體作為主晶相。

  (2)改善主晶相性能時,盡量避免產生缺位固溶體或填隙固溶體,最好形成連續固溶體。這樣弱聯系離子少,可避免損耗顯著增大。

  (3)盡量減少玻璃相。有較多玻璃相時,應采用中和效應"壓抑效應",以降低玻璃相的損耗。 (4)防止產生多晶轉變,多晶轉變時晶格缺陷多,電性能下降,損耗增加。

  (5)注意焙燒氣氛。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過程中升溫速度要合適,防止產品急冷急熱。

  (6)控制好最終燒結溫度,使產品正燒",防止生燒"過燒"以減少氣孔率。此外,在工藝過程中應防止雜質的混入,坯體要致密。

 



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