上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 40, 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射.
KRI 射頻離子源 RFICP 40 屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >100 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 （Typical flow）: 3-10 sccm.
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 40, 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射.
KRI 射頻離子源 RFICP 40 屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >100 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.
離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝.
適用于集成在小型的真空腔體內.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 有效優化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束
4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:
離子源型號 | RFICP 40 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >100 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 3-10 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm |
直徑 | 13.5 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
伯東KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域：
1. 預清洗
2. 表面改性
3. 輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
4. 濺鍍和蒸發鍍膜 PC
5. 離子濺射沉積和多層結構 IBSD
6. 離子蝕刻 IBE
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 羅先生
