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單晶少子壽命測試儀

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更新時間:2022-05-05 12:39:29瀏覽次數:259次

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產品簡介

LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國A.S.T.M標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命

詳細介紹

LT-2型單晶少子壽命測試儀

是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量,是半導體的常規測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶,以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

本儀器根據通用方法高頻光電導衰退法的原理設計,由穩壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。

LT-2型單晶少子壽命測試儀技術指標

測試單晶電阻率范圍>2Ω.cm

配備光源類型

波長:1.09μm;余輝<1 μS;
閃光頻率為:20~30次/秒;
閃光頻率為:20~30次/秒;

高頻振蕩源用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz

前置放大器:放大倍數約25,頻寬2 Hz-1 MHz

儀器測量重復誤差<±20%

測量方式采用對標準曲線讀數方式

儀器消耗功率<25W

儀器工作條件:溫度: 10-35、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz

可測單晶尺寸:斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
縱向臥測:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;

配用示波器:頻寬0—20MHz;
電壓靈敏:10mV/cm;


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