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天津諾雷信達(dá)科技有限公司
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聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 智慧城市網(wǎng)RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備
RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測(cè)試儀
RTS-4四探針測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo) :
測(cè)量范圍
電阻率:0.0001~2000Ω.cm(可擴(kuò)展);
方塊電阻:0.001~20000Ω/□(可擴(kuò)展);
電導(dǎo)率:0.0005~10000s/cm;
電阻:0.0001~2000Ω;
可測(cè)晶片直徑
140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái));
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái));
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái));
恒流源:電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表:量程及表示形式:000.00~199.99mV;
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;
四探針探頭基本指標(biāo) 間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機(jī)械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
軟件功能(選配)軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù),并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖,也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能,根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。
計(jì)算機(jī)通訊接口:并口,高速并行采集數(shù)據(jù),連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5秒
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度:23±2℃;
相對(duì)濕度:≤65%;
無(wú)高頻干擾;
無(wú)強(qiáng)光直射;
RTS-8四探針測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo) :
電阻率:10-5~105 Ω.cm(可擴(kuò)展);
方塊電阻:10-4~106 Ω/□(可擴(kuò)展);
電導(dǎo)率:10-5~105 s/cm;
電阻:10-5~105 Ω;
可測(cè)晶片直徑
140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái));
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái));
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái));
恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表
量程及表示形式:000.00~199.99mV;
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;
四探針探頭基本指標(biāo)針:
間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機(jī)械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%
測(cè)試模式:可連接電腦測(cè)試也可不連接電腦測(cè)試
軟件功能(選配)軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù),并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖,也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能,根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。
計(jì)算機(jī)通訊接口:并口,高速并行采集數(shù)據(jù),連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5 秒(在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí))。
RTS-9四探針測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo) :
電阻率:10-5~105 Ω.cm(可擴(kuò)展);
方塊電阻:10-4~106 Ω/□(可擴(kuò)展);
電導(dǎo)率:10-5~105 s/cm;
電阻:10-5~105 Ω;
可測(cè)晶片厚度≤3mm
可測(cè)晶片直徑
140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái));
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái));
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái));
恒流源電 流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表 量程及表示形式:000.00~199.99mV;
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;
四探針探頭基本指標(biāo) 間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機(jī)械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±4%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤4%
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)采用雙電測(cè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)RTS-9雙電測(cè)測(cè)試軟件控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并實(shí)時(shí)采集兩次組合模式下的電壓值,然后根據(jù)雙電測(cè)測(cè)試原理公式計(jì)算出電阻值。儀器主機(jī)也可兼容RTS-8四探針測(cè)試軟件實(shí)現(xiàn)單電測(cè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),兩套軟件可同時(shí)使用。
軟件功能軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù),并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖,也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能,根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。
計(jì)算機(jī)通訊接口并口,高速并行采集數(shù)據(jù)。
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