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坩堝(樣品臺)可移動型1200℃管式爐OTF-1200X-S-HPCVD

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更新時間:2021-11-06 16:54:42瀏覽次數:238次

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產品簡介

詳細介紹

 OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內移動(靠步進電機控制)的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設備工作溫度為1200℃。
      設備特點:坩堝通過一步進電機控制爐管,按照設定程序移動,同時坩堝后端安裝一熱電偶(隨坩堝儀器移動),可實時監測樣品的溫度,意味著可通過移動坩堝的位置,在爐體中準確找到實驗所需要的溫度,使得實驗準確度更高,重復性更強。此款設備可用于多種實驗,比如HPCVD(hybrid physical chemical deposition),快速熱蒸發,也可用于水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體。

技術參數
高溫爐部分

● 爐體設計為開啟式,以便于更換爐管

● 工作電源:208 - 240 VAC, 50/60Hz

● 功率為:2KW

● 工作溫度:1200℃(<1hr)

● 連續工作溫度:1100℃

● 加熱區長度:200mm

● 恒溫區長度:60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ ) 注:由于測量手段及外部環境的影響,測量結果可能會有偏差,此參數僅供參考不作為該設備的技術指標。您購買產品需要準確的恒溫區數據,請與我公司銷售人員聯系

● 爐管:高純石英管,尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)(點擊圖片查看詳細資料)

 
溫度控制系統

● 采用PID30段程序化控溫,其控溫精度為+/-1℃

● 控溫儀表操作視頻

● 設有過熱和斷偶保護

● 熱電偶采用K型熱電偶

 
真空密封

● 采用KF結構密封法蘭,硅膠密封圈密封

● 法蘭上安裝有一機械壓力表

● 右端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接(不銹鋼波紋管伸縮幅度為150mm)

● 真空度:10-2Torr(用機械泵抽)10-5Torr(用分子泵抽)

坩堝移動機構&PLC控制

● 一個直徑為1/4"的歐米伽鎧裝熱電偶(K型),通過法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動,可實時監測樣品的實際溫度

● 通過步進電機移動爐管內的坩堝(樣品臺),行程為100mm,移動精度為1mm

● 通過觸摸屏設定坩堝一定的距離和目標位置,坩堝移動速度為180mm/min(更精確的移動速度,可與本公司聯系定制,需額外收費)

● 可觀察下圖,了解坩堝與熱電偶的安裝方法

 
加熱速率和冷卻速率可通過移動樣品到已預加熱的爐體中來得到的加熱速率,也可將樣品迅速移除高溫的爐體,來得到的降溫速率
加熱速率
10℃/sec (150℃ - 250℃);
7℃/sec (250℃ - 350℃);
4℃/sec (350℃ - 500℃);
3℃/sec (500℃ - 550℃);
2℃/sec (550℃ - 650℃);
1℃/sec (650℃ - 800℃);
0.5℃/sec (800℃ - 1000℃);
降溫速率
10℃/sec (950℃ - 900℃);
7℃/sec (900℃ - 850℃);
4℃/sec (850℃ - 750℃);
2℃/sec (750℃ - 600℃);
1.5℃/sec (600℃ - 500℃);
1℃/sec (500℃ - 400℃);
0.5℃/sec (400℃ - 300℃);
可選配件

● 可選購手動擋板閥(圖1)

● 防腐型數顯真空計(圖4)

● 快速連接法蘭,以方便于放置樣品(圖2)

● 多路質量流量計控制的混氣系統,用于CVD和DVD實驗(圖5)

    
尺寸
質保一年質保期,終生維護(不含加熱元件、爐管和密封圈)
質量認證● CE 認證
● 所有電器元件(>24V)都通過 UL / MET / CSA 認證
● 若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國 TUV 認證或 CAS 認證
    
使用注意事項:

● 爐管內氣壓不可高于0.02MPa

● 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全

● 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態

● 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊

● 石英管的長時間使用溫度<1100℃

● 對于樣品加熱的實驗,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)

應用

● 此款設備可用于多種實驗,以下列出了幾種實驗方法

● RTE(快速熱蒸發):蒸發料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺上,樣品臺與熱電偶相連接,然后將樣品臺移動到理想的位置(此位置溫度是實驗所需要的溫度)

● HPCVD(混合物理化學沉積):與RTE相似,但需配混氣系統,對反應氣體混合并控制流量,同時也需設定蒸發料的位置(確定蒸發料的蒸發溫度)

● 水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體:將樣品和籽晶放入到坩堝中,并將坩堝放入到爐體中心位置,然后設定坩堝移動速度,慢慢移動坩堝


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