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高通量掃描電鏡系統(tǒng)High Throughput SEM

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產(chǎn)品型號sem

品       牌

廠商性質其他

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更新時間:2021-10-30 23:58:17瀏覽次數(shù):1343次

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聯(lián)系人:劉志釗

產(chǎn)品簡介

高通量掃描電鏡系統(tǒng)High Throughput SEM該系統(tǒng)高度的智能化結合超高速成像能力(4TB/天),使之具備了跨尺度信息融合能力。它可以全自動的超大區(qū)域(100mmX100mm)全息地圖集式成像模式,可以在同時保持高分辨率情況下對樣品進行全自動的無遺漏信息采集,并繪制成Google地圖式全景信息瀏覽。高通量掃描電鏡系統(tǒng)High Throughput SEM

詳細介紹

全部產(chǎn)品 > 電鏡系列 > 掃描電鏡 > 正文
高通量掃描電鏡系統(tǒng)(High Throughput SEM),

NavigatorTM系列是高通量電鏡技術在材料表面分析、神經(jīng)生物學領域的一項全新的應用。與傳統(tǒng)SEM不同的是,NavigatorTM針對大面積SEM分析的特定應用而全新設計的高通量電子光學成像系統(tǒng),重點優(yōu)化低落點能量下BSE的成像速率,同時保證SE的接收效率為95%以上,使SE和BSE的成像速率達到傳統(tǒng)SEM的10倍左右,搭配聚焦跟蹤系統(tǒng)和光學導航等輔助模塊,綜合成像速率是傳 統(tǒng)SEM的30倍以上。以半導體晶圓分析為例,以4nm像素大小掃描300umX300um區(qū)域內的晶圓刻線,傳統(tǒng)電鏡需要至少38分鐘完成相同工作,而高通 量僅需0.9分鐘即可完成自動圖像采集,并生成 Map式全景樣品地圖。您僅需推動鼠標滾輪,一切信息便展現(xiàn)在屏幕上,并可以對感興趣的 位置進行標注。您也可以使用手動模式,實時地快速翻看樣品免去不必要的光學參數(shù)調整。業(yè)界首-創(chuàng)的索引式查看功能使用戶無需再繁瑣地操作電 鏡而可以專注于搜尋樣品本身的信息。

應用領域:大面積表面材料分析、半導體晶圓分析、神經(jīng)生物學3D重構、生物組織切片分析等。

高通量掃描電鏡系統(tǒng)High Throughput SEM該系統(tǒng)在設計中具備如下特點:

  1. 國際首-創(chuàng)并擁有自主知識產(chǎn)權的高效電子收集和成像系統(tǒng),采用同軸電子直接探測技術和高速FPGA采集模塊,使該系統(tǒng)在世界上實現(xiàn)低加速電壓(1kV)下100M/s級二次電子(Secondary Electron)和背散射電子(Backscatter Electron)的超高速同步成像!該系統(tǒng)具備非比尋常的視頻級(120fps@512X512)納米尺度分析能力,使掃描電鏡從傳統(tǒng)意義的納米“照相機”變成納米“攝像機”。

  2. 針對于低加速電壓、大視野下分辨率而專門設計的電子光學鏡筒光路,采用浸沒搖擺電磁復合透鏡設計,使其在1kV加速電壓下即可獲得1.8nm、3kV下可獲得1.5nm的高分辨率能力,且具備高分辨率視場的區(qū)域較傳統(tǒng)掃描電鏡大4倍以上,而且保持高線性度(1‰的計量級)。

  3. 該系統(tǒng)高度的智能化結合超高速成像能力(4TB/天),使之具備了跨尺度信息融合能力。它可以全自動的超大區(qū)域(100mmX100mm)全息地圖集式成像模式,可以在同時保持高分辨率情況下對樣品進行全自動的無遺漏信息采集,并繪制成地圖式全景信息瀏覽。結合人工智能(A.I.)算法,可以對工程級材料進行整體納米晶粒分布統(tǒng)計、各類缺陷的標記與歸類、成分分布等電鏡微區(qū)分析。并且標配的真空預抽室和伸縮臂機構,使之具備真正意義上的“一鍵全自動換樣”。

  4. 完備的二次開發(fā)接口,為全-方位地滿足客戶定制需求,提高掃描電鏡的圖像采集效率,發(fā)揮電鏡高通量性能,(Navigator100)高通量電鏡供完備的二次開發(fā)接口,以供客戶定制個性化的圖像采集流程。

        高通量掃描電鏡系統(tǒng)High Throughput SEM除了生物領域,(Navigator100)系列的在材料科學、工業(yè)應用等方面也有廣泛的應用價值。得益于其硬件系統(tǒng)高通量的設計和軟件系統(tǒng)陣列式掃描支持,(Navigator100)特別適用于對樣品進行大面積地圖集式圖像采集,采集的結果是一個類似地圖的數(shù)T大小的圖像數(shù)據(jù)包。高通量掃描電鏡系統(tǒng)High Throughput SEM

產(chǎn)地類別:
 國產(chǎn)
背散射電子圖像分辨率:
 2.0nm@10kv,2.5nm@3kv,3nm@1kv
二次電子圖象分辨率:
 1.2nm@10kv, 1.5nm@3kv, 1.8nm@1kv
加速電壓:
 0.1-12kv
放大倍數(shù):
 200-600,000X
價格區(qū)間:
 500萬-700萬
儀器種類:
 場發(fā)射
 
 


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