從前幾年的PCIE固態硬盤到現在支持NVMe協議的M.2固態硬盤，M.2規格正在一統消費級PCIE固態硬盤市場。作為針對閃存存儲特別設計的新協議，NVMe具備低延遲特性，將會是未來很長一段時間內的主流。而在未來的發展方向中，大體可分為超高速與性價比這兩種。

　　根據超高速與性價比兩種不同發展方向，可以預見，超高速NVMe固態硬盤更適用于圖形工作站、高分辨率視頻剪輯、游戲玩家用戶;而性價比NVMe固態硬盤則更適用于普通家用PC、輕度辦公設備及娛樂網咖。

　　作為性價比向的固態硬盤，目前主流使用的是4個NAND通道，性能上足以滿足普通用戶的使用，而市面上也是有2個NAND通道的固態硬盤，在性能上自然會有所降低。而追求更高的用戶，則需要更高性能的固態硬盤，這時候8個NAND通道的超高速固態硬盤自然會是更好的選擇。

　　慧榮科技針對超高速發展方向，推出了SM2262EN主控，采用同步數據流的4個 8 Gbps 通道 (PCIe Gen3 x4)，加上8個 NAND 通道，可讓固態硬盤達到目前高速度水準。支持DDR緩存，可讓速度更趨于穩定。關于其性能，連續讀取速度可達3500MB/s，連續寫入速度可達3000MB/s，4K隨機讀取可達420K IOPS，4K隨機寫入可達420K IOPS。

　　在性價比向，慧榮科技同樣擁有著SM2263XT主控，采用同步數據流的4個 8 Gbps 通道 (PCIe Gen3 x4)，加上4個 NAND 通道，可以為主流NVMe固態硬盤提供出色性能。SM2263XT的DRAM-less設計，不僅有效降低了BOM成本，另外支援了HMB技術，所以對性能的影響微乎其微。關于其性能，連續讀取速度可達2400MB/s，連續寫入速度可達1700MB/s，4K隨機讀取可達280K IOPS (HMB)/140K IOPS (無HMB)，4K隨機寫入可達250K IOPS。

　　除此之外，SM2262EN和SM2263XT兩款主控固件方面均支持端到端數據保護、SRAM ECC、結合2KB碼字LDPC和嵌入式可編程RAID的新第五代NANDXtendECC技術，支持全線新3DTLC和QLCNAND，提供完整及穩定的資料保護，滿足存儲設備所需的高效穩定的需求。

　　客觀來講，影響SSD速度的因素有很多，主控參數(數據流通道、NAND通道數量等)、緩存速度、NAND本身的速度等等，恒量一款SSD性能的高低需綜合來看。

　　SMI慧榮目前擁有豐富的產品線，且相應產品對比同級競品均有一定優勢，品牌商可依據不同產品定位，結合自身所擁有的資源，輕松搭配出適合自身品牌用戶群及渠道的產品。