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Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+長余輝光致發(fā)光陶瓷

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更新時間:2021-09-28 16:17:08瀏覽次數(shù):437次

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Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+長余輝光致發(fā)光陶瓷
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Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+長余輝光致發(fā)光陶瓷

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Ca3GdNa(PO4)3F納米熒光粉

Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+橘紅長余輝納米熒光粉

稀土Sm3+摻雜Ca3GdNa(PO4)3F納米熒光粉激發(fā)波長405nm發(fā)射波長600nm

下轉換紅色發(fā)光材料Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+熒光粉發(fā)射波長600nm激發(fā)波長405nm

Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+橘紅色長余輝發(fā)光材料

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Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+納米晶長余輝材料

納米Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+長余輝發(fā)光材料

長余輝發(fā)光功能的Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+納米線

納米Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+橘紅熒光粉

(Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+)稀土發(fā)光材料


長余輝材料的介紹

長余輝的產生是-一個很復雜的過程,其余輝產生的機理目前還沒有定論,材料的余輝機理也不*相同,對于稀土鋁酸鹽長余輝發(fā)光材料的機理研究,從20世紀90年代至今一直是人們研究的熱點,提出了不同的余輝發(fā)光機理。其中,位型坐標模型更被大家所。蘇鏘°]等提出了長余輝發(fā)光的位型坐標模型,此模型如圖2所示,AEu2+的基態(tài),BEu2+的激發(fā)態(tài),C是摻人的雜質離子或者基質中的一些其它缺陷所產生的陷阱能級。蘇鏘等認為在外部光源的激發(fā)下電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)(過程1),一部分電子躍遷回級產生Eu?+的特征發(fā)光(過程2),另一部分電子則通過馳像過程被陷阱能級捕獲(過程3)。當存儲在陷阱中的電子吸收能量后,重新受激發(fā)回到激發(fā)態(tài),然后躍遷回基態(tài)而產光。余輝時間的長短與存儲在陷阱能級中的電子數(shù)量和吸收的能量有關。隨著長余輝發(fā)光材料的應用領域不斷拓展,應用水平仍需不斷。研究性能更的長余輝發(fā)光材料及對發(fā)光機理的研究-直是人們關注的。可以預見,在國內它即將成為- -個新長余輝的產生是-一個很復雜的過程,其余輝產生的機理目前還沒有定論,材料的余輝機理也不*相同,對于稀土鋁酸鹽長余輝發(fā)光材料的機理研究,從20世紀90年代至今一直是人們研究的熱點,提出了不同的余輝發(fā)光機理。其中,位型坐標模型更被大家所。蘇鏘°]等提出了長余輝發(fā)光的位型坐標模型,此模型如圖2所示,AEu2+的基態(tài),BEu2+的激發(fā)態(tài),C是摻人的雜質離子或者基質中的一些其它缺陷所產生的陷阱能級。蘇鏘等認為在外部光源的激發(fā)下電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)(過程1),一部分電子躍遷回級產生Eu?+的特征發(fā)光(過程2),另一部分電子則通過馳像過程被陷阱能級捕獲(過程3)。當存儲在陷阱中的電子吸收能量后,重新受激發(fā)回到激發(fā)態(tài),然后躍遷回基態(tài)而產光。余輝時間的長短與存儲在陷阱能級中的電子數(shù)量和吸收的能量有關。隨著長余輝發(fā)光材料的應用領域不斷拓展,應用水平仍需不斷。研究性能更的長余輝發(fā)光材料及對發(fā)光機理的研究-直是人們關注的,現(xiàn)有材料的性能及其使用性能也是各生產廠家關注的焦點。可以預見,在國內它即將成為- -個新興產業(yè),有人將發(fā)展為自發(fā)光材料和自發(fā)光產品的大供應商。因而加對長余輝發(fā)光材料

溫馨提示:西安齊岳生物科技有限公司供應的產品用于科研,不能用于人體和其他商業(yè)用途axc,2021.09.28

K2La(PO4)2:Eu3+紅色長余輝納米熒光粉

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K2La(PO4)2:Sm3+橘紅長余輝納米熒光粉

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Ca3GdNa(PO4)3F:Sm3+,Dy3+長余輝發(fā)光材料

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