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參考價	面議

詳細(xì)介紹

起初，電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC，我們必須把它們焊接到主機(jī)板上才能正常使用，一旦某一塊內(nèi)存IC壞了，必須焊下來才能更換，這實(shí)在是太費(fèi)勁了。后來，電腦設(shè)計人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存，每一條上集成了多塊內(nèi)存IC，相應(yīng)地，在主板上設(shè)計了內(nèi)存插槽，這樣，內(nèi)存條就可隨意拆卸了，從此，內(nèi)存的維修和擴(kuò)充都變得非常方便。

折疊發(fā)展
內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機(jī)的發(fā)展造成了現(xiàn)實(shí)的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運(yùn)而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝更換的問題*解決了。

在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ~256KB，對于當(dāng)時PC所運(yùn)行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn)，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴(kuò)大容量，內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了"內(nèi)存條"概念。

在80286主板剛推出的時候，內(nèi)存條采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組)接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗(yàn)位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進(jìn)入民用，搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山*。

隨后，在1988 ~1990 年當(dāng)中，PC 技術(shù)迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ~2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。

EDO DRAM(Extended Date Out RAM，
IBM產(chǎn)，CANDA制造的EDO內(nèi)存條
IBM產(chǎn)，CANDA制造的EDO內(nèi)存條
外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式存儲器)內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似，它取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時的486及早期的Pentium電腦上。

在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實(shí)上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達(dá)到4 ~16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。

SDRAM時代
SDRAM內(nèi)存條
SDRAM內(nèi)存條

自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須*得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時代。

第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。

不可否認(rèn)的是，SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能*解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。

盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達(dá)到獨(dú)占的目的，與Rambus聯(lián)合在PC推廣Rambus DRAM內(nèi)存(稱為RDRAM內(nèi)存)。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機(jī))理論，這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。

在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭*，Rambus DRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。

盡管如此，Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR"掠奪"其寶座地位，在當(dāng)時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組"失誤事件"、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。

DDR時代

DDR SDRAM(Dual DataRate SDRAM)簡稱DDR，
DDR內(nèi)存條
DDR內(nèi)存條
也就是"雙倍速率SDRAM"的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。

DDR 內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn)，最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬)是由PC133 SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個高潮，另外還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過渡，而DDR400內(nèi)存成為當(dāng)下的主流平臺選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn)，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。

DDR2時代

DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實(shí)的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

德國EGE P72017 DN 752 GA-16

隨著CPU 性能不斷提高，我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認(rèn)，僅僅依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。

ROSE+ KRIEGER
725401 00350
EGE
S10831 SDN 10831
EGE
P11316 SDN 552/1 GAA
EGE
SN10383
EGE
| SN10383
EGE
SDN10831
EFFEKTA REGELTECHNIK
|ABR1X106007XX610
EGE
SDN10831
EGE
| SDN10831
EG
SDN10831
EGE
|SDN10831
EGE
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EGE
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EGE
SDN10831
EGE
|SDN 10831
EGE
SDN10831
EGE
|SDN10831
EGE
SDN11281
ROSE+ KRIEGER
30160000755
EGE
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EGE
|SDN 11281
EGE
SDN 11281
ROSE+ KRIEGER
72150121500
HEGENSCHEIDT MFD
1016313-2-Z
ROSE+ KRIEGER
72150121500
ROSE+ KRIEGER
78440312675 全部此數(shù)量可用
NEGELE
7536.1100 LAR-361/1
DRAEGER
| PIR 3000
NEGELE
ILM-4/L20/S01/N/A62/D/S/W/X

EGE
P10501, SKZ 400 WR
EGE
P10523 SC 440/1-A4-GSP
| ROSE+ KRIEGER
FNA301 7TA0109, RK COMPACT 30/ 109
HEGENSCHEIDT
101 8845-4
| EGE
P11109 LN 450 GR-S
JAEGER
| CONNECTEURS MD2RUMA-K- 80-3/4BSPT-1-FIS0-750°
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NCS- 11/PNP/KF
EGE
P11109， LN 450 GR-S
EGE
P10523 SC 440/1-A4-GSP
EGE
IGMH 02 GSP
| EGE
P10523 SC 440/1-A4-GSP
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P11078, SN 450/1 A4 GR
EGE
P10523 SC 440/1-A4-GSP
EGE
P10523 SC 440/1-A4-GSP
EGE
| P10523, SC 440/1-A4-GSP 整單有效
EGE
P10523, SC 440/1-A4 GSP
EGE
SC 440-A4-GSP
EGE
P10521，SC 440 A4 GSP
| ROSE+ KRIEGER
70318110265 引導(dǎo)托架不再安裝在線性單元上
EGE
P11105 LNZ 450 GR-S
EGE
P10521, SC 440-A4-GSP
EGE
P10523, SC 440/1-A4-GSP
EGE
P11216, SNT 450-A4-GR
EGE
SC 440-A4-GSP
| EGE
S30154， INS 30154
| EGE
INS 30154
EGE
| P10525 SC 440/2-A4-GSP

EGE
| IGMF 005 GSP/5METER KABEL
EGE
| IGMF 02 GSP/5METER KABEL
EGE
IGMF 005 GOP/5METER KABEL
EGE
| P30701/5 IGMF 05 GSP/5METER
EGE
LG 518GSP P11237
STOEGER
207292
EGE
| P31440, IGFW 010 GSP
STOEGER
207292
EGE
| P31073 IGMF 008 WS 2METER CABLE
EGE
| P31440, IGFW 010 GSP
EGE
| P30710， IGMF 008 GSOP
EGE
P30707，IGMF 005 GSOP
EGE
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EGE
P31424 IGMF 005 GSP
EGE
| P30702, IGMF 05 GOP
EGE
P30706 IGMF 005 GOP
EGE
| P10530 SKM 420 GR
EGE
P31132 IGMF 02 GSP
EGE
| P31427, IGMF 008 GOP
STOEGER AUTOMATION
210121
EGE
P30702/5 IGMF 05 GOP/5
EGE
| IGMF 005 GSOP/10METER KABEL
EGE
IGMF 005 GSOP/10METER KABEL
ROSE+ KRIEGER
| 52600005030
EGE
|S30262 IGMF 30262
EGE
P10713 ST 2S
EGE
| P30701/10 IGMF 05 GSP/10METER 整單有效
EGE
| P30702/5
IGMF 05 GOP/5METER整單有效
EGE
P31430 IGMF 015 GSP

ROSE+ KRIEGER
002020
| ROSE+ KRIEGER
00020注意數(shù)量整單有效
| ROSE+ KRIEGER
00020 注意數(shù)量整單有效
| ROSE+ KRIEGER
2020 GF 12
JAEGER
763112006
BARTELS- RIEGER
PN:954004
JAEGER
| 663342300, 633423006
| ROSE+ KRIEGER
90915
JAEGER
762112006
SCHLEGEL
QXVSCH+AT2_ AU
STOEGER
| 205017
SCHLEGEL
QXVSCH+AT2_ AU
| JAEGER
7631 12006
SCHLEGEL
ASI- BZL5
JAEGER
| 536945006
| ROSE+ KRIEGER
90915
JAEGER
761212006
JAEGER
532401006整單有效
EGE
P31446，IGEXA 04 (4個起訂)
SCHL EGEL
ASI-BZL5
| JAEGER
761-212-006
SEEGER
ARTIKEL-NR.10914847, SEEGER I AV 22X1,20
STOEGER
205302
| JAEGER
431 519 006
EGE
P31105 IGM 104 GSP
SCHLEGEL
ASI BZL5 (5個起訂)
STOEGER
| 205302
JAEGER
| 663071900 整單有效
| ROSE+ KRIEGER
140091 00 FK40