德國FRAKO電力電容器（Frako Capacitor ）包括移相電容器、電熱電容器、均壓電容器、藕合電容器、脈沖電容器等。移相電容器主要用于補償無功功率，以提高系統(tǒng)的功率因數(shù)；電熱電容器主要用于提高中頻電力系統(tǒng)的功率因數(shù)；均壓電容器一般并聯(lián)在斷路器的斷口上作均壓用；藕合電容器主要用于電力送電線路的通信、測量、控制、保護；脈沖電容器主要用于脈沖電路及直流高壓整流濾波。

德國FRAKO電力電容器，用于電力系統(tǒng)和電工設備的電容器。任意兩塊金屬導體，中間用絕緣介質(zhì)隔開，即構成一個電容器。德國FRAKO電容器電容的大小，由其幾何尺寸和兩極板間絕緣介質(zhì)的特性來決定。當電容器在交流電壓下使用時，常以其無功功率表示電容器的容量，單位為乏或千乏。
電容器，通常簡稱其容納電荷的本領為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件。德國FRAKO電容器是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體（包括導線）間都構成一個德國FRAKO電容器。電容與電容器不同。電容為基本物理量，符號C，單位為F（法拉）。
通用公式C=Q/U平行板電容器公式：板間電場強度E=U/d ，電容器電容決定式 C=εS/4πkd隨著電子信息技術的日新月異，數(shù)碼電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代速度越來越快，以平板電視（LCD和PDP）、筆記本電腦、數(shù)碼相機等產(chǎn)品為主的消費類電子產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，帶動了電容器產(chǎn)業(yè)增長。
在直流電路中，德國FRAKO電容器是相當于斷路的。電容器是一種能夠儲藏電荷的元件，也是zui常用的電子元件之一。
這得從電容器的結(jié)構上說起。zui簡單的電容器是由兩端的極板和中間的絕緣電介質(zhì)（包括空氣）構成的。通電后，極板帶電，形成電壓（電勢差），但是由于中間的絕緣物質(zhì)，所以整個電容器是不導電的。不過，這樣的情況是在沒有超過電容器的臨界電壓（擊穿電壓）的前提條件下的。我們知道，任何物質(zhì)都是相對絕緣的，當物質(zhì)兩端的電壓加大到一定程度后，物質(zhì)是都可以導電的，我們稱這個電壓叫擊穿電壓。電容也不例外，電容被擊穿后，就不是絕緣體了。不過在中學階段，這樣的電壓在電路中是見不到的，所以都是在擊穿電壓以下工作的，可以被當做絕緣體看。
但是，在交流電路中，因為電流的方向是隨時間成一定的函數(shù)關系變化的。而電容器充放電的過程是有時間的，這個時候，在極板間形成變化的電場，而這個電場也是隨時間變化的函數(shù)。實際上，電流是通過電場的形式在電容器間通過的。
德國FRAKO電容器：電子設備中充當整流器的平滑濾波、電源和退耦、交流信號的旁路、交直流電路的交流耦合等的電子元件稱為電容器。電容器包括固定電容器和可變電容器兩大類，其中固定電容器又可根據(jù)所使用的介質(zhì)材料分為云母電容器、陶瓷電容器、紙/塑料薄膜電容器、電解電容器和玻璃釉電容器等；可變電容器也可以是玻璃、空氣或陶瓷介質(zhì)結(jié)構。
德國FRAKO電力電容器日常使用應該注意事項有哪些？
由于電容器的兩有剩留殘余電荷的特點，所以，首先應設法將其電荷放盡，否則容易發(fā)生觸電事故。處理故障電容器時，首先應拉開電容器組的斷路器及其上下隔離開關，如采用熔斷器保護，則應先取下熔絲管。此時，電容器組雖已經(jīng)過放電電阻自行放電，但仍會有部分殘余電荷，因此，必須進行人工放電。放電時，要先將接地線的接地端與接地網(wǎng)固定好，再用接地棒多次對電容器放電，直至無火花和放電聲為止，zui后將接地線固定好。同時，還應注意，電容器如果有內(nèi)部斷線、熔絲熔斷或引線接觸不良時，其兩極間還可能會有殘余電荷，而在自動放電或人工放電時，這些殘余電荷是不會被放掉的。故運行或檢修人員在接觸故障電容器前，還應戴好絕緣手套，并用短路線短接故障電容器的兩極以使其放電。另外，對采用串聯(lián)接線方式的電容器還應單獨進行放電。
FRAKO電力電容器提供由“德國制造”的質(zhì)量，為擔負重任的電容器和功率因數(shù)控制系統(tǒng)打造了*基礎。我們的電力電容器集成四重安全防護系統(tǒng)，將系統(tǒng)可靠運行發(fā)展到*。FRAKO電力電容器是用戶的*選擇，幫助用戶減少無功功率，提高電能質(zhì)量，避免為無功功率消耗付出額外代價。
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德國FRAKO電力電容器又稱電解電容，是一種無功補償裝置。FRAKO電容器在交流電壓作用下能“發(fā)”無功電力(電容電流)，如果把電容器并接在負荷(如電動機)或供電設備(如變壓器)上運行，那么，負荷或供電設備要“吸收”的無功電力正好由電容器“發(fā)出”的無功電力供給，這就是并聯(lián)補償。并聯(lián)補償減少了線路能量損耗，可改善電壓質(zhì)量，提高功率因數(shù)，提高系統(tǒng)供電能力。也可以把FRAKO電容器串聯(lián)在線路上，補償線路電抗，改變線路參數(shù)，這就是串聯(lián)補償。串聯(lián)補償可以減少線路電壓損失，提高線路末端電壓水平，減少電網(wǎng)的功率損失和電能損失，提高輸電能力。
德國FRAKO電力電容器（Frako Capacitor ）包括移相電容器、電熱電容器、均壓電容器、藕合電容器、脈沖電容器等。移相電容器主要用于補償無功功率，以提高系統(tǒng)的功率因數(shù)；電熱電容器主要用于提高中頻電力系統(tǒng)的功率因數(shù)；均壓電容器一般并聯(lián)在斷路器的斷口上作均壓用；藕合電容器主要用于電力送電線路的通信、測量、控制、保護；脈沖電容器主要用于脈沖電路及直流高壓整流濾波。

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上*款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構，它有三個極：陽極，陰極和控制極； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。
晶閘管（Thyristor）是一種開關元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年，美國通用電器公司開發(fā)出世界上*個晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。

晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導晶閘管（RCT）、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。
晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。
晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。
晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專為快速應用而設計的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）
工作原理編輯
晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。

晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：
1. 晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。
2. 晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。
3. 晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。
4. 晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。
工作過程編輯
概述
晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管，圖2

當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。
設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,
晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若門極電流為Ig，則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig
從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式
硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。
當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2）很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流*由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。
式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0，即使此時門極電流Ig=0，晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。
在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態(tài)。
特性
特性曲線
特性曲線
晶閘管的陽極電壓與陽極電流的關系，稱為晶閘管的伏安特性，如圖所示。晶閘管的陽極與陰極間加上正向電壓時，在晶閘管控制極開路(Ig=0)情況下，開始元件中有很小的電流(稱為正向漏電流)流過，晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻，處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài))，簡稱斷態(tài)。
當陽極電壓上升到某一數(shù)值時，晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導通狀態(tài)，簡稱通態(tài)。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復峰值電壓(UDSM)，或稱正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。
導通后，元件中流過較大的電流，其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時，陽極電流隨之減小，當陽極電流小于維持電流IH時，晶閘管便從導通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出，當晶閘管控制極流過正向電流Ig時，晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低， Ig越大，轉(zhuǎn)折電壓越小，當Ig足夠大時，晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小，一加上正向陽極電壓，晶閘管就導通。實際規(guī)定，當晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時，能使元件導通的控制極小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。
在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時，開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)，只有很小的反向漏電流流過。當反向電壓增大到某一數(shù)值時，反向漏電流急劇增大，這時，所對應的電壓稱為反向不重復峰值電壓(URSM)，或稱反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)。
可見，晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類似。
晶閘管的開通和關斷的動態(tài)過程的物理過程較為復雜，圖 2.5 簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。

圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點劃線波形）。
開通過程
晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間 ton。
由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的 10%開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的 10%（對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的 90%），這段時間稱為觸發(fā)延遲時間 td。陽極電流從 10%上升到穩(wěn)態(tài)值的 90%所需要的時間（對于阻性負載相當于陽極電壓由 90%降到 10%）稱為上升時間 tr，開通時間 ton定義為兩者之和，即t on = t d +tr
通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關。 [2] 
關斷過程
處于導通狀態(tài)的晶閘管當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，由于外電路電感的存在，其陽極電流在衰減時存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復電流，經(jīng)過大值 IRM后，再反方向衰減。同時，在恢復電流快速衰減時，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓 URRM。從正向電流降為零，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間 trr。 [2] 
反向恢復過程結(jié)束后，由于載流子復合過程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間，這叫做反向阻斷恢復時間 tgr。在反向阻斷恢復時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)ǎ皇荛T極電流控制而導通。所以在實際應用中，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關斷時間 toff定義為 trr與 tgr之和，即
toff= trr+ tgr
除了開通時間 ton、關斷時間 toff及觸發(fā)電流 IGT外，本文比較關注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：
斷態(tài)（反向）重復峰值電壓 UDRM（URRM）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的 UDRM 和 URRM 中較小的標值作為該器件的額定電壓。
通態(tài)平均電流 IT(AV)：規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為 40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數(shù)。 [2] 
維持電流 IH：是指晶閘管維持導通所必需的小電流，一般為幾十到幾百毫安。
IH與結(jié)溫有關，結(jié)溫越高，則 IH越小。
擎住電流 IL：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導通所需的小電流。對同一晶閘管來說，通常 IL約為 IH的 2～4 倍。 [2] 
浪涌電流 ITSM：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復性大正向過載電流。
斷態(tài)電壓臨界上升率 du/dt：是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓大上升率。
通態(tài)電流臨界上升率 di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的大通態(tài)電流上升率。如果 di/dt 過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。 [2] 
觸發(fā)技術
晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點要求：
①觸發(fā)脈沖的寬度應足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導通； ② 觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合，脈沖電流的幅度應增大為器件大觸發(fā)電流的 3～5 倍，脈沖的陡度也需要增加，一般需達1～2A/μs； ③ 所提供的觸發(fā)脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額，且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；④應有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離； ⑤ 觸發(fā)脈沖型式應有助于晶閘管元件的導通時間趨于*。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時刻導通，宜采用強觸發(fā)的形式。 [2] 
晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：
① 電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)信號經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發(fā)方式成本較低，技術比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出*問題，同時觸發(fā)時的電磁干擾較大。 ② 直接光觸發(fā)方式，將觸發(fā)脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖，直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用； ③ 間接光觸發(fā)方式，利用光纖通信的方法，將觸發(fā)電脈沖信號轉(zhuǎn)化為光脈沖信號，經(jīng)處理后耦合到光電接受回路，把光信號轉(zhuǎn)化為電信號。既可以克服電磁干擾，又可以采用普通晶閘管，降低了成本。 [2] 
晶閘管串聯(lián)技術
當需要耐壓很高的開關時，單個晶閘管的耐壓有限，單個晶閘管無法滿足耐壓需求，這時就需要將多個晶閘管串聯(lián)起來使用，從而得到滿足條件的開關。
在器件的應用中，由于各個元件的靜態(tài)伏安特性和動態(tài)參數(shù)不同，因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：
1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會使均壓性能受到影響。 [2] 
2、關斷電荷和開通時間等動態(tài)特性對動態(tài)均壓的影響。晶閘管串聯(lián)運行，延遲時間不同，門極觸發(fā)脈沖的大小不同，都會導致閥片的開通適度不同。閥片的開通速度不同，會引起動態(tài)電壓的不均衡。同時關斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關斷的現(xiàn)象。關斷電荷少，則易關斷，關斷時間也短，先關斷的元件必然承受zui高的動態(tài)電壓。 [2] 
晶閘管串聯(lián)技術的根本目的的是保證動、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運行且都得到充分的利用。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護、動態(tài)和靜態(tài)均壓、觸發(fā)*性、反向恢復過電壓的抑制、開通關斷緩沖等一系列問題。 [2] 
主要參數(shù)編輯
為了正確選用晶閘管元件，必須要了解它的主要參數(shù)，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值，產(chǎn)品合格證上標有元件的實測數(shù)據(jù)。 (1)斷態(tài)重復峰值電壓UDRM 在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。 (2)反向重復峰值電壓URRM 在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。 通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù)。 (3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT 在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內(nèi))的平均值，稱為額定通態(tài)平均電流IT，簡稱額定電流。 (4)維持電流IH
在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續(xù)導通的小電流稱為維持電流IH 。一般為幾十毫安～一百多毫安，其數(shù)值與元件的溫度成反比，在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半。當晶閘管的正向電流小于這個電流時，晶閘管將自動關斷。
晶閘管的選用編輯
(1)選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應根據(jù)應用電路的具體要求合理選用。
若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通單向晶閘管。
若用于交流開關、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應選用雙向晶閘管。
若用于交流電動機變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷晶閘管。
若用于鋸齒波發(fā)生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG晶閘管。
若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統(tǒng)及開關電源等電路，可選用逆導晶閘管。
若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路，可選用光控晶閘管。
2．選擇晶閘管的主要參數(shù)：晶閘管的主要參數(shù)應根據(jù)應用電路的具體要求而定。
所選晶閘管應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應高于受控電路的大工作電壓和大工作電流1．5～2倍。
晶閘管的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應符合應用電路(指門極的控制電路)的各項要求，不能偏高或偏低，否則會影響晶閘管的正常工作。
單向檢測編輯
(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結(jié)，具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。 螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。

觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。
特殊的晶閘管編輯
雙向晶閘管TRIAC
從外表上看，雙向晶閘管和普通晶閘管很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通晶閘管不同，是把兩個晶閘管反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。

從內(nèi)部結(jié)構來看，雙向晶閘管是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構的半導體器件，見圖3(a)。為了便于說明問題，我們不妨把圖3(a）看成是由左右兩部分組合而成的，如圖3(b)。這樣一來，原來的雙向晶閘管就被分解成兩個P—N—P—N型結(jié)構的單向晶閘管了。如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導通特性的根本原因。
雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導通。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發(fā)導通。不僅如此，雙向晶閘管還有一個重要的特點，這就是：不管觸發(fā)信號的極性如何，也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的。
快速晶閘管
普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導通；陽極電流上升速度太快時，會燒毀元件。人們在制造工藝和結(jié)構上采取了一些改進措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。
一、關斷時間（toff）短
導通的晶閘管，當切斷正向電流時。并不能馬上“關斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間，叫做關斷時間。用t0仟表示。
晶閘管的關斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能。
二、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）
控制極觸發(fā)導通的晶閘管。總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導通，然后逐漸向外擴展，直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能全面積導通。初始導通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管。控制極觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。從而實際強觸發(fā)，加速了元件的導通，提高了耐電流上升率的能力。
三、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）
晶閘管是由三個P—N結(jié)組成的。每個結(jié)相當于一個電容器。結(jié)電壓急劇變化時，就有很大的位移電流流過元件，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用。可能使晶閘管誤導通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。
為了有效防止上述誤導通現(xiàn)象發(fā)生，快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來，即使電壓上升率較高，晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零，不致使晶閘管誤導通。只是在電壓上升率進一步提高，結(jié)電容位移電流進一步增大，在短路點上產(chǎn)生電壓降足夠大時，晶閘管才能導通。
具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構的晶閘管，用控制極電流觸發(fā)時，控制極電流首先也是從短路點流向陰極。只是當控制極電流足夠大，在短路點電阻上的電壓降足夠大，PN結(jié)正偏導通電流時，才同沒有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣，可被觸發(fā)導通。因此，快速晶閘管的抗干擾能力較好。
快速晶閘管的生產(chǎn)和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關斷時間僅為20微妙的大功率快速晶閘管，同時還做出了zui高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產(chǎn)品廣泛應用于大功率直流開關、大功率中頻感應加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領域。
逆導晶閘管
以往的城市電車和地鐵機車為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開關動作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動和加速。開關體積大、壽命短，而且低速運行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點。自有了逆導晶閘管，采用了逆導晶閘管控制、調(diào)節(jié)車速，不僅克服了上述缺點，而且還降低了功耗，提高了機車可靠性。

逆導晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個硅片上。它的等效電路和符號如圖1所示。它的特點是能反向?qū)ù箅娏鳌Ｓ捎谒年枠O和陰極接入反向并聯(lián)的二極管，可對電感負載關斷時產(chǎn)生的大電流、高電壓進行快速釋放。

目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達到1500～2500V正向電流達400A。吸收電流達150A，關斷時間小于30微秒的逆導晶閘管。
可關斷晶閘管GTO
（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷。
前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強迫關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已廣泛用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。

可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。
盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益，βoff，它等于陽極大可關斷電流IATM與門極大負向電流IGM之比，有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛 的hFE參數(shù)頗有相似之處。
下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。
判定GTO的電極
將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，僅當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負極相連）
光控晶閘管
光控晶閘管（Light Triggered Thyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關管，是一種光敏器件。

1．光控晶閘管的結(jié)構
通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）。但它的結(jié)構與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構成。
從外形上看，光控晶閘管亦有受光窗口，還有兩條管腳和殼體，酷似光電二極管。
2．光控晶閘管的工作原理
當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。
可推算出下式：
Ia = Il / [1-（a1+a2）]
式中， Il為光電二極管的光電流；Ia為光控晶閘管陽極電流，即光控晶閘管的輸出電流；a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。
由上式可知，Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到大，即*導通。能使光控晶閘管導通的小光照度，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經(jīng)觸發(fā)，即成通導狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關閉。
3．光控晶閘管的特性
為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在目前的條件下，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。
光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外，其它特性基本與普通晶閘管是相同的，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求，即有選擇性。波長在0.8——0.9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。
使用注意事項編輯
選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。
5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
損壞原因判別編輯
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、 邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。 [3] 
主要用途編輯
普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路、逆變、電機調(diào)速、電機勵磁、無觸點開關及自動控制等方面。現(xiàn)在我畫一個較簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a）〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通。現(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c）及（d）〕，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出（波形圖上陰影部分）。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL（陰影部分的面積大小）。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń?theta;，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。
晶閘管
晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導體控制整流器，是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導體器件，為*代半導體電力電子器件的代表。晶閘管的特點是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比，可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，并體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優(yōu)點，廣泛用于無觸點開關、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。
發(fā)展歷史編輯
半導體的出現(xiàn)成為20世紀現(xiàn)代物理學其中一項重大的突破，標志著電子技術的誕生。而由于不同領域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發(fā)展，其中一個分支即是以集成電路為代表的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發(fā)了世界上*個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發(fā)了*用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上，晶閘管迅速取代了水銀整流器（引燃管），實現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節(jié)能效果。從1960年dai開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族。
晶閘管在應用中有效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中zui高的，而且工作可靠。因晶閘管的上述優(yōu)點，國外對晶閘管在脈沖功率源領域內(nèi)應用的研究做了大量的工作，很多脈沖功率能源模塊已經(jīng)使用晶閘管作為主開關。而國內(nèi)的大功率晶閘管主要應用在高壓直流輸電的工頻環(huán)境下，其工頻工作條件下的技術參數(shù)指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流、高陡度的環(huán)境下的使用情況，對其在脈沖脈沖功率電源領域中的應用研究很少，尚處于試驗探索階段。 [2] 
在大功率半導體開關器件中，晶閘管是具有zui高耐壓容量與大電流容量的器件。國內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，大直徑可達 6 英寸，單閥片耐壓值zui高可達 11KV，的通流能力zui高可達 4500A。在該領域比較*的有瑞士的 ABB 以及國內(nèi)的株洲南車時代。 [2] 
為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt 承受能力，國外在普通晶閘管的基礎上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經(jīng)在國外投入實際使用。其中 GTO 的單片耐壓可達 4.5kV，工況下通流能力可達 4kA，而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的 IGCT 的zui高耐壓可達 10kV，通流能力可達 6.5kA。 [2] 
針對脈沖功率電源中應用的晶閘管，國內(nèi)還沒有廠家在這方面進行研究，在上具有*技術的是瑞士 ABB 公司。他們針對脈沖功率電源用大功率晶閘管進行了十數(shù)年的研究。目前采用的較成熟的器件為 GTO，其直徑為 3.5 英寸，單片耐壓為4.5KV，通常 3 個閥片串聯(lián)工作。可以承受的電流峰值為 120kA/90us，電流上升率 di/dtzui高可承受 3.5KA/us。門極可承受觸發(fā)電流大值為 800A，觸發(fā)電流上升率 di/dt 大為 400A/us。其研制出的 IGCT 擁有更好的性能，其直徑為 3.5 英寸，單閥片耐壓值也是 4.5kV。大通流能力已經(jīng)可以達到 180kA/30us，zui高可承受電流上升率 di/dt為 20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流大值為 2000A，觸發(fā)電流上升率 di/dt 大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。 [2] 
但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制極即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統(tǒng)更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結(jié)構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。

 
以下列舉部分德國FRAKO晶閘管型號：
DCS50X2-400/415，LKT12.1-440-DL, LKT25-440440-DP, LKT30-440-DP, LKT18-480-DP, 電抗器EMR1100S
 FRAKO電力電容器又稱電解電容，是一種無功補償 裝置。FRAKO電容器在交流電壓作用下能“發(fā)”無功電力(電容電流)，如果把電容器并接在負荷(如電動機)或供電設備(如變壓器)上運行，那么，負荷或供電設備要“吸收”的無功電力正     好由電容器“發(fā)出”的無功電力供給，這就是并聯(lián)補償。并聯(lián)補償減少了線路能量損耗，可改善電壓質(zhì)量，提高功率因數(shù)，提高系統(tǒng)供電能力。也可以把FRAKO電容器串聯(lián)在線路上，補償     線路電抗，改變線路參數(shù)，這就是串聯(lián)補償。串聯(lián)補償可以減少線路電壓損失，提高線路末端電壓水平，減少電網(wǎng)的功率損失和電能損失，提高輸電能力。

以下列舉部分德國FRAKO電容型號：
LKT12.1-440-DL含接線端子、LKT15.5-480-DP含接線端子、LKT28.2-440-DP含接線端子、LKT15-440-DP、LKT 12.1-440-DL含端子、LKT12.1-440-DL含接線端子、LKT28.2-440-DP含接線端子、LKT7.2-480-DL、LKT12.5-440-DP、LKT28.2-440-DP含接線端子、LKT12.1-440-DL含接線端子、LKT8.33-525-EP、LKT15.5-480-DP、LKT28.2-440-DP、LKT12.5-440-DP、LKT10.0-440.DP、LKT15.5-480-DP、LKT15.0-440-DPLKT12.5-440-DP、LKT15.5-480-DP、LKT12.1-440-D52、KIT50-400-13.5S、LKT10-400-D52A、LKT12-5-400-D52A、LKT20-440-D52、EMR1100S、RM9606、KIT50-400-7S、KIT25-400-7S、KIT12.5-400-7S、LKT30-400-D52、LKT10-400-D52、LKT20-400-D52、LKT15-400-D52、LKT30-400-D52、LKT11.2-610-D52A、LKT-11.2-610-D52、LKT10-400-D52、LKT15.1-440-D52、LKT15-400-D52 、LKT20-400-D52、C84D-100-50-2-400-P1、KIT50-400-7S、C85D-100-50-2-400-P1、C84D-50-50-1-400-P7、EMR1100、LKT12.4-440-D52、LKT9.4-440-E52、LKT12.1-440-DL、LKT12.1-440-DL、LKT14.1-440-D52A、LKT25-440-D52A、LKT15-400-D52、LKI23-440-D52、LKT10.0-280-EP、LKT10.0-400-DB、LKT10.0-400-DL、LKT10.0-400-DP、LKT10.0-440-DB、LKT10.0-440-DP、LKT10.0-525-DP、LKT10.0-690-DP、LKT10.4-480-DL、LKT10.5-800-DP、LKT11.7-400-DL、LKT12.1-440-DL、LKT12.5-400-DB、LKT12.5-400-DL、LKT12.5-400-DP、LKT12.5-440-DB、LKT12.5-440-DP、LKT12.5-480-DL、LKT12.5-525-DP、LKT12.5-690-DP、LKT13.3-800-DP、LKT14.2-300-DP、LKT15.0-400-DB、LKT15.0-400-DP、LKT15.0-440-DB、LKT15.0-440-DP、LKT15.0-525-DP、LKT15.0-690-DP、LKT15.5-480-DP、LKT17.6-440-DL、LKT18.0-480-DP、LKT2.4-480-EP、LKT2.8-525-EP、LKT20.0-400-DB、LKT20.0-400-DL、LKT20.0-400-DP、LKT20.0-440-DP、LKT20.0-525-DP、LKT20-440-DB、LKT20-690-DP、LKT21.3-300-DP、LKT21-800-DP、LKT25.0-400-DP、LKT25.0-440-DP、LKT25.0-525-DP、LKT25-400-DB、LKT25-440-DB、LKT25-690-DP、LKT26.7-800-DP、LKT28.2-440-DP、LKT28.2-760-DP、LKT3.33-440-EP、LKT3.33-480-EP、LKT3.33-525-EP、LKT3.6-480-DL、LKT3.6-480-EP、LKT30.0-440-DP、LKT30-400-DB、LKT30-440-DB、LKT4.17-440-EP、LKT4.17-525-DL、LKT4.5-480-DL、LKT4.8-480-EP、LKT5.0-400-DL、LKT5.0-400-DP、LKT5.0-440-DL、LKT5.0-440-EP、LKT5.9-525-DL、LKT5-280-EP、LKT5-690-DP、LKT6.0-480-EP、LKT6.25-400-DB、LKT6.25-400-DL、LKT6.7-800-DP、LKT7.1-300-DP、LKT7.2-480-DL、LKT7.5-400-DB、LKT7.6-440-DL、LKT7.7-525-DL、LKT7.8-480-DL、LKT8.33-525-DL、LKT8.33-525-EP、LKT9.1-440-DL、LKT9.3-400-DL、LKT9.4-440-EP、MSCD 150-12、MSCD 200-12、MSCD 300-12、MSCD 400-12、MSCD 500-12、MSCD 500-6
 
以下列舉部分德國FRAKO功率因數(shù)補償儀型號：
RM2106、RM2112、RM9606、EMR1100、EMR1100S
 
以下列舉部分德國FRAKO電容補償套件型號：
KIT10-400-14S、KIT10-400-7S、KIT12.5-400-14S、KIT12.5-400-7M、KIT12.5-400-7S、KIT12-230-P1、KIT 15-400-14S、KIT 15-400-7S、KIT16-230-P1、KIT2.5-400-7S、KIT 20-400-14S、KIT 20-400-7S、KIT 20-400-7S、KIT 25-230-P7、KIT25-400-14S、KIT25-400-14S-E、KIT25-400-5S、KIT 25-400-7M、KIT25-400-7S、KIT25-400-7S、KIT 25-400-7S-E、KIT 25-400-7S-S3、KIT25-525-7S、KIT 25-690-7S、KIT25-690-7S、KIT 25-690-7S-S3、KIT30-230-P7、KIT30-400-14S、KIT30-400-5S、KIT30-400-7S、KIT30-400-7S、KIT 40-400-14S、KIT40-400-5S、KIT40-400-7S、KIT40-400-7S、KIT4-230-P1、KIT 50-230-P7、KIT 50-400-14S、KIT50-400-14S-E、KIT 50-400-5S、KIT50-400-5S-S3、KIT50-400-7M、KIT50-400-7S、KIT50-400-7S、KIT50-400-7S-E、KIT50-400-7S-S3
KIT50-525-7S、KIT50-690-7S、KIT50-690-7S、KIT50-690-7S-S3、KIT5-400-7S、KIT6.25-400-14S、KIT7.5-400-7S、KIT8-230-P1
 
以下列舉部分德國FRAKO補償模塊型號：
EC84D50-50-1-400/440-84-P5-S3、EC64D25-25-1-400/440-64-P5-S3、EC64D25-25-1-400/440-64-P5-S3、EC65D50-25-2-400/440-65-P5-S3、EC65D50-25-2-400/440-65-P5-S3、EC66D100-50-2-400/440-66-P7、EC84D50-50-1-690/760-84-P5-S3、EC84D100-25-21-400/440-84-P7、EC84D100-50-2-400/440-84-P5、EC84D100-50-2-400/440-84-P7、EC84D25-25-1-400 /440-84-P7-E、EC84D25-25-1-400/440-84-P7、EC84D25-25-1-400/440-84-P7-S3、EC84D25-25-1-400/480-84-P1-E、EC84D37.5-12.5-11-400/440-84-P7-E、EC84D50-12.5-21-400 /440-84-P7、EC84D50-25-2-400/440-84-P5-S3、EC84D50-25-2-400/440-84-P5-S3、EC84D50-25-2-400/440-84-P7、EC84D50-25-2-400/440-84-P7-E、EC84D50-25-2-400/440-84-P7-S3、EC84D50-25-2-400/480-84-P1、EC84D50-25-2-400/480-84-P1-E、EC84D50-25-2-690/760-84-P5-S3、EC84D50-25-2-690/760-84-P5-S3、EC84D50-50-1-400/440-84-P5-E、EC84D50-50-1-400/440-84-P5-S3、EC84D50-50-1-400/440-84-P5-S3、EC84D50-50-1-400/440-84-P5-S3、EC84D50-50-1-400/440-84-P7-E、EC84D50-50-1-400/440-84-P7-S3、EC84D50-50-1-400/480-84-P1-E、EC84D75-12.5-22-400/440-84-P7、EC84D75-25-11-400/440-84-P5-S3、EC84D75-25-11-400/440-84-P5-S3、EC84D75-25-11-400/440-84-P7、EC84D75-25-11-400/480-84-P1、EC84D75-25-11-400/480-85-P1-E、EC85D100-50-2-400/440-85-P5-E、EC85D100-50-2-400/440-85-P5-E、EC85D100-50-2-400/440-85-P5-S3、EC85D100-50-2-400/440-85-P5-S3、EC85D100-50-2-400/440-85-P7-E、EC85D100-50-2-400/440-85-P7-S3、EC85D100-50-2-400/480-85-P1、EC85D100-50-2-400/480-85-P1-E、EC85D100-50-2-525/610-85-P7-E、EC85D100-50-2-690/760-85-P5-S3、EC85D100-50-2-690/760-85-P5-S3、EC85D100-50-2-690/760-85-P7、EC85D100-50-2-690/760-85-P7-S3、EC85D50-25-2-525/610-85-P7-E、EC85D75-25-11-400/440-84-P5-E、EC85D75-25-11-400/440-84-P5-E、EC85D75-25-11-400/440-85-P7-E、EC85D75-25-11-690/760-85-P5-S3、EC85D75-25-11-690/760-85-P5-S3 
 
以下列舉部分德國FRAKO有源濾波器型號：
OSFD 100-415-4、OSFD 100-480-3、OSFD 200-415-4、OSFD 200-480-3、OSFD 250-415-4、OSFD 250-480-3、OSFD 300-415-4、OSFD 300-480-3、OSFD 30-480-3、OSFD 50-480-3

德國FRAKO電容LKT 155-480-DP K18-0622

德國FRAKO電容LKT 155-480-DP K18-0622