功能特性　　低能高效：　　浪潮NS6510G1企業(yè)級NVMeSSD采用自主開發(fā)的*固件架構和多檔精細功耗設計,以4-12W的低功耗提供3.4GB/s和1.7GB/s較高讀寫帶寬，相比NS8600/8500G1功耗降低50%，滿足低功耗應用場景，為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級應用提供低能高效的存儲產(chǎn)品

詳細介紹

功能特性

　　低能高效：

　　浪潮 NS6510 G1企業(yè)級NVMe SSD采用自主開發(fā)的*固件架構和多檔精細功耗設計,以4-12W的低功耗提供3.4GB/s和1.7GB/s較高讀寫帶寬，相比NS8600/8500G1功耗降低50%，滿足低功耗應用場景，為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級應用提供低能高效的存儲產(chǎn)品。

　　安全可靠：

　　浪潮NS6510 G1企業(yè)級NVMe SSD,內(nèi)置創(chuàng)新設計NAND特性算法模型，NAND Flash P/E大幅提升，極大延長固態(tài)硬盤壽命。真實評測MTBF超過250萬小時，同時有強大的容錯糾錯機制，全路徑的端到端數(shù)據(jù)保護，可變條帶的RAID，軟硬件協(xié)同的掉電保護等功能加持，多層次，立體化的保護數(shù)據(jù)安全可靠。

　　優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定：

　　浪潮NS6510 G1企業(yè)級NVMe SSD，擁有極低的I/O抖動，4K隨機讀寫 IOPS 一致性達99%以上，同時擁有83/14μs的低延時，保證優(yōu)質(zhì)的QoS。

技術規(guī)格

類目	參數(shù)
產(chǎn)品型號	NS6510 G1
形態(tài)	2.5寸 U.2
接口	PCIe 3.0x4
閃存類型	96L 3D eTLC NAND
產(chǎn)品容量	1.92TB	3.84TB
順序讀帶寬（128K）	3400MB/s	3400MB/s
順序寫帶寬（128K）	1700 MB/s	1700 MB/s
隨機讀IOPS（4K）	530k	530k
隨機寫IOPS（4K）	85k	98k
讀/寫延時	83/14us	83/14us
PBW	3.96PB	7.92PB
日寫入量（DWPD）	DWPD1.1（5年）
功耗	12W
待機功耗	4W
形態(tài)	2.5寸 U.2
接口	PCIe 3.0 x4
尺寸	100x70x15mm
重量	125g
重要特性	Trim、S.M.A.R.T、盤內(nèi)RAID保護、掉電保護、端到端數(shù)據(jù)保護、熱插拔、顆粒失效保護、原子寫、Multi-Namespace、固件鑒權加密等
平均*時間（MTBF）	250萬小時
誤碼率（UBER）	10-17
數(shù)據(jù)保持時間	3個月（40° C）
工作溫度	0℃~70℃
儲存溫度	-40℃~85℃
支持操作系統(tǒng)	RHEL、centos、ubuntu、windows、SLES、Vmware
支持服務器平臺	NF5180M5、NF5280M5
產(chǎn)品認證	美國：FCC/UL/CB/UNH-IOL 歐盟：CE/REACH/RoHS 第三方認證：VROC/博通RAID卡兼容性認證