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更新時(shí)間：2021-08-24 15:40:44瀏覽次數(shù)：602

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N通道MOS管TDM3458采用的溝槽技術(shù)
提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這個(gè)
器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM
應(yīng)用。

詳細(xì)介紹

N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3458

描述

TDM3458采用的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這個(gè)

器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM

應(yīng)用。

一般特征

lRDS（ON）<8.7mΩ@ VGS = 4.5V

RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS = 10V

l高功率和電流處理能力

l提供無(wú)鉛產(chǎn)品

l表面貼裝封裝

應(yīng)用

lPWM應(yīng)用

l負(fù)載開(kāi)關(guān)

l電源管理

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N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3458
描述	一般特征
TDM3458采用的溝槽技術(shù)	RDS（ON）<8.7mΩ@ VGS = 4.5V
提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這個(gè)	RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS = 10V
器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM	高功率和電流處理能力
應(yīng)用。	提供無(wú)鉛產(chǎn)品
封裝DNF5*6-8	表面貼裝封裝
應(yīng)用范圍：PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理