24電4光全千兆非網(wǎng)管型以太網(wǎng)交換機(jī)
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東莞惠海半導(dǎo)體有限公司
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東莞惠海半導(dǎo)體有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)HC080N10L
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
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更新時(shí)間：2020-02-27 10:13:39瀏覽次數(shù)：463次
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POE交換機(jī)100V15A貼片MOS管17N10
HC080N10L低結(jié)電容，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過(guò)電流大，抗沖擊能力強(qiáng)。目前在霧化器、香薰機(jī)、加濕器控制板市場(chǎng)月出貨量均達(dá)到5KK以上，性能非常好、成熟穩(wěn)定
深圳市惠新晨電子有限公司
型號(hào):HC080N10L ,絲印：15N10，參數(shù)：15A100V ，類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)阻70mR，低結(jié)電容525pF， 封裝：貼片（SOP-8），低開(kāi)啟電壓1.5V，低結(jié)電容，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過(guò)電流大，抗沖擊能力強(qiáng)，批量*性好
可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、LED驅(qū)動(dòng)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、POE交換機(jī)電源等產(chǎn)品，性價(jià)比高
在客戶正式量產(chǎn)訂貨前公司可免費(fèi)提供樣品測(cè)試
惠新晨電子的宗旨是提供高品質(zhì)高性能中低壓MOS管產(chǎn)品，質(zhì)量放在*位，價(jià)格第二
POE交換機(jī)100V15A貼片MOS管17N10
POE交換機(jī)100V15A貼片MOS管17N10
工廠規(guī)模：
可靠性測(cè)試及品質(zhì)把控：
封裝及測(cè)試流程：
公司庫(kù)存實(shí)力展示：
場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。
場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙型器件。
有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。
場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。
場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。
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Mos管是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的源（source）和漏（drain）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
當(dāng)MOS電容的柵（Gate）相對(duì)于襯底（BACKGATE）正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過(guò)GATE DIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了，有多的電子從襯底被拉了上來(lái)。同時(shí)，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過(guò)剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做溝道（channel）。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來(lái)越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。所以MOS是電壓控制型器件。
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深圳市惠新晨電子有限公司 周先生QQ：2945356936
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