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東莞惠海半導(dǎo)體有限公司
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東莞惠海半導(dǎo)體有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)HC160N10LS
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
聯(lián)系方式：周任宗查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間：2018-11-05 17:41:49瀏覽次數(shù)：441次
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電源驅(qū)動(dòng)100V5A場效應(yīng)管SOT23-3 絲印HC510
低結(jié)電容，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng)
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型號(hào):HC160N10LS ,絲印：HC510，參數(shù)：5A100V ，類型：N溝道場效應(yīng)管，內(nèi)阻155mR，低結(jié)電容405pF， 封裝：貼片（SOT23-3），低開啟電壓1.5V，低結(jié)電容，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng)，可用于LED照明、安防監(jiān)控等市場。
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電源驅(qū)動(dòng)100V5A場效應(yīng)管SOT23-3 絲印HC510
電源驅(qū)動(dòng)100V5A場效應(yīng)管SOT23-3 絲印HC510
MOS開關(guān)管損失
不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程，流過的電流有一個(gè)上升的過程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。
導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。
MOS管驅(qū)動(dòng)
跟雙性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個(gè)很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)*要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用于驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵電壓大于源電壓。而驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源電壓與漏電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導(dǎo)通就夠用了。
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