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東莞惠海半導(dǎo)體有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)HC080N10L
品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
聯(lián)系方式:周任宗查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2018-10-25 14:43:57瀏覽次數(shù):351次
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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家
商鋪產(chǎn)品:2237條
所在地區(qū):廣東深圳市
聯(lián)系人:周任宗 (市場(chǎng)經(jīng)理)
低壓100V15A場(chǎng)效應(yīng)管 霧化器結(jié)MOS管
HC080N10L HC160N10L 低結(jié)電容,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過(guò)電流大,抗沖擊能力強(qiáng)。目前在霧化器、香薰機(jī)、加濕器控制板市場(chǎng)月出貨量均達(dá)到5KK以上,性能非常好、成熟穩(wěn)定
惠新晨電子專(zhuān)業(yè)中低壓MOS管行業(yè)10年,經(jīng)驗(yàn)豐富,實(shí)力雄厚可以做月結(jié)30天,惠新晨電子是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商
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深圳市惠新晨電子有限公司專(zhuān)業(yè)從事20-150V系列中低壓NMOS管場(chǎng)效應(yīng)管封裝制造、研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售
型號(hào):HC080N10L ,絲印:17N10,參數(shù):17A100V ,類(lèi)型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,內(nèi)阻70mR,低結(jié)電容525pF, 封裝:貼片(TO-252),低開(kāi)啟電壓1.5V,低結(jié)電容,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過(guò)電流大,抗沖擊能力強(qiáng)
HC080N10L可用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、LED驅(qū)動(dòng)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、POE交換機(jī)電源等產(chǎn)品,性?xún)r(jià)比高
HC080N10L HC160N10L目前在霧化器、香薰機(jī)、加濕器控制板市場(chǎng)月出貨量均達(dá)到5KK以上,性能非常好、成熟穩(wěn)定
低壓100V15A場(chǎng)效應(yīng)管 霧化器結(jié)MOS管
低壓100V15A場(chǎng)效應(yīng)管 霧化器結(jié)MOS管
100V 60V系列N溝道主營(yíng)型號(hào):
HC080N10L 100V17A N溝道 內(nèi)阻70mR, TO-252、SOP-8、DFN3*3、TO-220,低內(nèi)阻,結(jié)電容小,低開(kāi)啟電壓
HC160N10L 100V10A N溝道 內(nèi)阻140mR, TO-252、SOP-8、DFN3*3、TO-220,低內(nèi)阻,結(jié)電容小,低開(kāi)啟電壓
惠新晨電子100V耐壓MOS管HC080N10L HC160N10L廣泛應(yīng)用于霧化器、加濕器、香薰機(jī)控制驅(qū)動(dòng)板子,內(nèi)阻低,結(jié)電容小,開(kāi)關(guān)損耗低,轉(zhuǎn)換效率高,溫升低
Mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱(chēng)是金屬—緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。
當(dāng)MOS電容的柵(Gate)相對(duì)于襯底(BACKGATE)正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過(guò)GATE DIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了,有多的電子從襯底被拉了上來(lái)。同時(shí),空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過(guò)剩的電子,硅表層看上去就像N型硅。摻雜性的反轉(zhuǎn)被稱(chēng)為inversion,反轉(zhuǎn)的硅層叫做溝道(channel)。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高,越來(lái)越多的電子在表面積累,channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí),不會(huì)形成channel。所以MOS是電壓控制型器件。
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主營(yíng)產(chǎn)品:驅(qū)動(dòng)芯片 中低壓場(chǎng)效應(yīng)管,車(chē)燈IC,100V降壓恒壓IC
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