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東莞惠海半導體有限公司
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所 在 地深圳市
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更新時間：2018-09-19 15:43:30瀏覽次數(shù)：337次
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HC021N10L替代ST18N10D 結MOS管100V35A
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產品型號：HC021N10L參數(shù)：100V35A ，類型：N溝道場效應管，內阻22mR，低結電容1880pF 封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內阻，結電容小,低開啟電壓，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
HC021N10L替代ST18N10D 結MOS管100V35A
HC021N10L替代ST18N10D 結MOS管100V35A
HC012N10L優(yōu)勢替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10
深圳市惠新晨電子有限公司
深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道寶源路1053號資信達大廈
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