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麻城施邁賽工業自動化有限公司

主營產品: 接近開關,雙向拉繩開關,兩級跑偏開關,光電開關,磁性開關,打滑開關,行程限位開關,礦用防爆電器

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接近開關TSZY-HS12-AC包裝計數傳感器
接近開關TSZY-HS12-AC包裝計數傳感器
參考價 685
訂貨量 10
具體成交價以合同協議為準
  • 型號
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 黃岡市

更新時間:2024-12-25 14:32:42瀏覽次數:162

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【簡單介紹】
接近開關TSZY-HS12-AC包裝計數傳感器90-250VAC具有結構簡單、靈敏度高、分辨力高,能感受0.01μm甚至更小的位移、無反作用力、動態響應好、能實現非接觸測量、能在惡劣環境下工作等優點,而且隨著新工藝、新材料問世,特別是電子技術的發展,使干擾和寄生電容等問題不斷得以解決,因此越來越廣泛地應用于各種測量中。

接近開關TSZY-HS12-AC包裝計數傳感器90-250VAC由于采用磁感應原理,從根本上解決了來自任何電場干擾造成的影響,該系列開關動作距離大,抗干擾性強,密封性能好,磁力穩定可靠,工作特性為半球形,具有安裝方便,使用壽命長,能在溫度大,溫度高及其它惡劣環境下工作等特點。它們被廣泛應用于軋鋼、煉焦、造船、礦山及起重、運輸等方面作位置控制開關,或取代原有的滑道接觸器機械限位開關等,是替代國外進口的國產化產品,是實現控制信號無接觸傳輸的理想部件.

接近開關TSZY-HS12-AC作為一種先進的自動化控制元件,在現代化生產環境中扮演著至關重要的角色。特別是在制成包裝車間中,其應用不僅提高了生產效率,還確保了產品質量和生產安全。

接近開關的工作原理

接近開關,也稱為無觸點位置開關,是一種能夠感知物體接近并發出控制信號的傳感器。TSZY-HS12-AC作為其中的一種,其工作原理主要基于霍爾效應或電磁感應。霍爾效應型接近開關通過霍爾元件檢測磁場變化,當磁性物體接近時,磁場變化轉化為電信號,經放大處理后控制輸出狀態。而電磁感應型接近開關則利用導電物體在接近時產生的渦流,改變原有電路參數,從而產生信號輸出。這兩種類型的接近開關都具備非接觸檢測的特點,能夠在不損壞被檢測物體的前提下,實現高精度的位置檢測和狀態控制。



在制成包裝車間中,TSZY-HS12-AC接近開關的應用場景廣泛,包括但不限于以下幾個方面:

1. **物料定位與傳輸控制**:在自動化生產線上,接近開關可以精確檢測物料的位置和狀態,從而控制傳輸帶的啟停、機械臂的抓取和放置等動作。例如,在包裝前的物料準備階段,接近開關可以檢測物料是否到達位置,觸發輸送帶將物料送至下一道工序。

2. **包裝質量檢測**:在包裝過程中,接近開關可以用于檢測包裝材料的厚度、尺寸以及是否含有磁性雜質等。通過非接觸式檢測,可以避免對包裝材料的損壞,同時提高檢測精度和效率。例如,在巧克力金屬箔紙包裝過程中,接近開關可以檢測金屬箔紙是否存在破損或磁性雜質,從而及時發現并處理不合格產品。

3. **安全防護與故障預警**:接近開關還可以用于安全防護和故障預警。例如,在機器運轉過程中,接近開關可以檢測操作人員的接近情況,當人員靠近危險區域時,及時發出警報并停止機器運轉,確保人員安全。同時,接近開關還可以監測機器的運行狀態,如軸承溫度、振動等,及時發現并預警潛在故障。

### 實際效益

TSZY-HS12-AC接近開關在制成包裝車間的應用帶來了顯著的實際效益:

1. **提高生產效率**:通過精確控制物料傳輸、機械臂動作等關鍵環節,接近開關實現了自動化生產線的連續、高效運行,顯著提高了生產效率。

2. **保證產品質量**:接近開關的非接觸式檢測方式避免了對物料的損壞,同時提高了檢測精度和效率,確保了產品質量的一致性和穩定性。

3. **降低維護成本**:接近開關具備長壽命、高可靠性的特點,減少了因設備故障導致的停機時間和維修成本。同時,其簡單的接線方式和易于安裝的特點也降低了安裝和維護的難度。

4. **提升安全性**:接近開關在安全防護和故障預警方面的應用,有效降低了生產過程中的安全風險,保障了操作人員的生命安全。

接近開關TSZY-HS12-AC包裝計數傳感器產品特點:
1、 響應頻率高
2、重復定位精度高
3、 輸出波形純凈、性能穩定
4、帶工作狀態指示
5、穩定、可以在油污、粉塵、振動和溫差大的惡劣環境中可靠工作
6、 可以設置多重保護功能:反向極性保護,浪涌電壓保護和過熱保
7、 多種工作模式:常開、常閉、自鎖、NPN輸出、PNP輸出

一、霍爾集成電路的原理 
  當將一塊通電的半導體薄片垂直置于磁場中時,薄片兩側由此會產生電位差,此現象稱為霍爾效應。此電位差稱為霍爾電勢,電勢的大小E=KIB/d,式中K是霍爾系數,d為薄片的厚度,I為電流,B為磁感應強度。圖1示出霍爾效應的原理:在三維空間內,霍爾半導體平板在XOY平面內,它與磁場方向垂直,磁場指向Y軸的方向,沿X軸方向通以電流I,由于運動的電荷與磁場的相互作用,結果在Z軸方向上產生了霍爾電勢E,一般其值可達幾十毫伏。為此,將霍爾元件與電子線路集成在一塊約2mm*2mm的硅基片上,就做成了溫度穩定性好、可靠性高的霍爾集成電路。 



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