美國EOS檢測器組件

EOS于1991年在加利福尼亞成立，由電力電子領域的幾個者成立。EOS是一家具有交匙設計，制造，銷售和支持運營的產品公司。該公司是電源制造商和出口商，并為其客戶提供完整的VAM，ODM和支持和維修服務。EOS品牌的電源已經向客戶銷售了超過4000萬臺。EOS POWER現在已成為許多醫療，工業和質量意識客戶的電源合作伙伴。

EOS檢測器組件產品線由各種不同起始材料的光電二極管和光電導體組成，可從業內一個來源中進行廣泛的選擇。EOS在大多數探測器類型中提供幾種標準尺寸，并為非標準要求提供定制設計服務。如果您的應用需要 ，請咨詢工廠。

產品通常可以分為三個波長區域，再加上一個特殊類別，其中包括位置傳感器，2色檢測器和象限。

UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，鍺和硅光電二極管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。

近紅外 包括InAs和InSb光電二極管，以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。

LWIR  包括HgCdTe光電導體以及的熱釋電和熱電堆檢測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。

產品范圍：紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近紅外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探測器,近紅外位置傳感器,2色檢測器

紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米

此類別中的組件是硅，鍺，InGaAs，InGaAs擴展型和光電二極管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。這些檢測器在室溫下或與TE-Cooler一起運行，并以各種TO型包裝提供。提供幾種標準直徑以及特殊設備，例如Si和InGaAs象限，2色檢測器，多元素檢測器和PSD。

近紅外-MWIR 1.0-5.5微米

此類探測器包括InAs和InSb光電二極管以及覆蓋1至5.5微米光譜范圍的PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。根據靈敏度要求，使用室溫，TE冷卻和低溫封裝。提供各種標準尺寸和定制尺寸。 

LWIR2-40微米

此類探測器包括HgCdTe光電導體以及的熱釋電和熱電堆探測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。提供各種標準尺寸和自定義幾何形狀。

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