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廣州市元奧儀器有限公司
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英國Raptor Photonics公司的Eagle XV相機是專門為真空特殊工作環境設計的，可以直接放置在真空腔室內使用。相機采用了Teledyne e2v公司的背照式CCD芯片，百分之100的填充因子，可直接探測從真空紫外（極紫外）到軟X-ray波段（12eV-20keV能量范圍）。
英國Raptor Photonics公司的Eagle XV真空腔內X射線相機是專門為真空特殊工作環境設計的，可以直接放置在真空腔室內使用。相機采用了Teledyne e2v公司的背照式CCD芯片，百分之100的填充因子，可直接探測從真空紫外（極紫外）到軟X-ray波段（12eV-20keV能量范圍）。
主要特性
· 相機放置在真空腔室內使用
· 來自Teledyne e2v的背照式CCD芯片
· 可直接探測能量范圍12eV-20keV
· 制冷溫度-80℃，暗電流<0.0005e - /p/s
· 提供完整真空饋通的解決方案
· 真空度兼容性10 -5 至10 -8 mbar
典型應用
?x射線成像 ?x射線顯微鏡 ?薄膜和納米纖維 ?x射線等離子體診斷 ?全息和光刻
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一種研究物質特性的技術，如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當X-ray穿過物質時，它們與原子中的電子相互作用，并分散開 來。如果原子是在平面上組織的（即物質是結晶的），并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同，則會發生構造性和破壞性的干涉， 并形成衍射圖案。根據所研究物質的種類，可以使用單色X-ray、粉 紅束（窄帶）X-ray或白束（寬帶）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半導體工業使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制，該行業在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術，以生 產小于100nm的特性。半導體工業研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰，但它經常被使用，因為它保留了上述光刻技術 （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設計工具。 因此，直接探測X-ray相機為光刻系統工作中提供了好的診斷 和監控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機，可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
Eagle XV – In Vacuum X-Ray
In Vacuum High Energy CCDs with a range of custom options
Introducing a high energy direct X-Ray In Vacuum version one of the most sensitive CCD cameras in the World. The Eagle XV is available in a range of options including sensor resolution, sensor type, cooling and feedthrough options – including trigger, liquid, power and CameraLink. This freedom of choice offers cameras to meet your exact needs.
The EAGLE XV camera features:
· Choice of sensors, BN-DD and BN – Select the best QE for your application
· Active / Passive cooling down to -80°C – Minimizing noise with Raptor cooling technology
· Compact platform for In-Vacuum operation – Ideal for OEM integration with vacuum pressure <= 10^-5 mbar
· Full range of Accessories – Including vacuum feedthroughs, cables, tubing etc
Optional Accessory | Part Number | Notes |
Power Feedthrough | RPL-PFC | 19-way hermetic bulkhead feedthrough; 3m, 19-way, in vacuum cable |
CameraLink Feedthrough | RPL-CLFC | MDR-MDR Feedthru Plate; Cameralink Cable 3m MDR to MDR |
KF40 Liquid Feedthrough | RPL-DN40KF-WFC | KF40 flange with 2-off ?" pipes, terminated with swagelok fittings |
2.75" CF Liquid Feedthrough | RPL-DN40CF-WFC | 2.75" CF flange with 2-off ?" pipes, terminated with swagelok fittings |
KF40 Trigger Feedthrough 2 SMAs | RPL-DN40KF-TFC | KF40 flange with 2-off female SMA to SMA feedthroughs; |
2.75" CF Trigger Feedthrough | RPL-DN40CF-TFC | 2.75" CF flange with 2-off female SMA to SMA feedthroughs; |
Air Side Water Tubing | RPL-WTUBE-XV | Includes tubing and connectors. Stainless Steel Hose Connector, 1/4 in. Tube Adapter, 1/4 in; 5mm ID Flexible PVC Tubing (2m length); |
EPIX EB1 frame grabber | RPL-EPIX-EB1 | |
EPIX XCAP Std software | RPL-XCAP-STD | |
CameraLink Cable (2m) | RPL-CL-CBL-2M | Longer Camera Link cable available. |
Mini PC with XCAP Std and frame grabber | RPL-PC-EL1 | |
Thermoelectric Water Chiller Unit | RPL-CHILLER | Recommended coolant flow rate >0.5l/min & cooling capacity >100W @ 20°C. |
產品參數：
型號 | EA4240XV-BN-CL -II |
芯片類型 | CCD |
有效像素 | 2048 x 2048 |
像素尺寸 | 13.5μm × 13.5μm |
光譜響應范圍 | 12eV to 20keV |
圖像阱深 | >80ke- (100Ke- typical) |
非線性 | 小于百分之一 |
暗電流@ -80?C | - 0.016 e/p/s |
讀出噪聲（RMS） | 10e- @ 2MHz <3.5e- @ 75kHz |
積分時間 | Up to 60 mins |
幀頻 | 2MHz / 75kHz |
讀出模式 | Full 2D Image, Flexible Programmable Binning, ROI Selection |
觸發模式 | Internal / External |
數據輸出格式 | 16 bit base Camera Link |
同步方式 | Trigger IN and OUT - TTL compatible |
供電方式 | 12V DC ±0.1 |
總功耗 | <67W (TEC ON, Steady State) |
工作溫度 | -20°C to +55°C |
存儲溫度 | -40°C to +70°C |
外形尺寸 | 155.08mm x 140.89mm x 110.00mm |
重量 | <1.5Kg |
典型應用
?x射線成像 ?x射線顯微鏡 ?薄膜和納米纖維 ?x射線等離子體診斷 ?全息和光刻
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一種研究物質特性的技術，如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當X-ray穿過物質時，它們與原子中的電子相互作用，并分散開 來。如果原子是在平面上組織的（即物質是結晶的），并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同，則會發生構造性和破壞性的干涉， 并形成衍射圖案。根據所研究物質的種類，可以使用單色X-ray、粉 紅束（窄帶）X-ray或白束（寬帶）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半導體工業使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制，該行業在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術，以生 產小于100nm的特性。半導體工業研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰，但它經常被使用，因為它保留了上述光刻技術 （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設計工具。 因此，直接探測X-ray相機為光刻系統工作中提供了好的診斷 和監控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機，可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
Typical Uses:
X-ray imaging
X-ray microscopy
Thin films and nanofibers
X-ray plasma diagnostics
Holography andlithography
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