磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體
產品簡介
磷化鎵是一種人工合成的化合物半導體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導體材料。磷化鎵的晶體結構為閃鋅礦型，晶格常數5.447±0.06埃，化學鍵是以共價鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20%，300K時能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如GaAS、 InP)相同，可通過引入深中心使費米能級接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。
（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時域光譜儀中作為探測晶體，其橫光學支聲子線在11THz。通常可探測的頻譜寬度在0.1-6.5THz。
中文名：磷化鎵
外文名：Gallium phosphide
分子式：GaP
分子量：100.6968
實驗結果圖為40fs鈦藍寶石激光泵浦寬譜光電導天線，400um厚GaP晶體探測的結果
GaP磷化鎵晶體產品
| | GaP 磷化鎵晶體基本規格(a) Description |
| 1 | GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. |
| 2 | GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. |
| 3 | GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. |
| 4 | GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. |
| 5 | GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. |
| 6 | GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished.. |
(a)其他規格要求可以定制
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